способ получения синтетического аметиста

Классы МПК:C30B7/10 применением давления, например гидротермическими способами
C30B29/18 кварц
Автор(ы):, , , , , , ,
Патентообладатель(и):Южноуральский завод "Кристалл"
Приоритеты:
подача заявки:
1992-09-28
публикация патента:

Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов. Изобретение позволяет повысить один из основных показателей ювелирного качества интенсивность окраски минимум до 1,9 бел. Аметист выращивают в гидротермальных условиях методом температурного перепада. Используют шихту, предварительно перекристаллизованную из обычного жильного кварца. При перекристаллизации в шихту вводятся примеси железа, лития, марганца и кобальта. Наращивание аметиста производят на затравки, параллельные граням большого или малого ромбоэдров. В качестве рабочего раствора используют раствор карбоната калия с добавками железа и азотнокислого марганца. Выросшие кристаллы для придания окраски подвергают ионизирующегому облучению. 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО АМЕТИСТА в гидротермальных условиях методом температурного перепада из шихты синтетического кварца в растворе карбоната или гидроксида калия, содержащем примесь железа и окислитель, с последующим ионизирующим облучением, отличающийся тем, что в шихту при ее перекристаллизации из жильного кварца дополнительно вводят примеси железа, лития, марганца и кобальта.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения синтетического аметиста.

Выращивание производится в гидротермальных условиях методом температурного перепада на затравки, параллельные грани пинакоида. В процессе получения аметиста из полученной шихты в рабочий раствор карбоната калия добавляют двуокись железа и азотнокислый марганец. Выращенные кристаллы для придания окраски подвергают ионизирующему облучению. В результате получают кристаллы аметиста с интенсивностью окраски минимум 1,8 бел и относительной плотностью двойников менее 8%

Изобретение улучшает интенсивность окраски аметиста минимум до 1,9 бел.

Улучшение интенсивности окраски по сравнению с прототипом достигается за счет введения в состав шихты, синтезированной из обычного жильного кварца, кроме примесей железа, лития, марганца, дополнительно примеси кобальта. Вся остальная технология та же, что и в прототипе.

Пример конкретного исполнения. В промышленном цикле N 6668 в автоклаве объемом 1,5 м3 камеру растворения заполняют синтетической шихтой в количестве 675 кг, предварительно перекристаллизованной из обычного жильного кварца, в растворе карбоната калия с добавками растворимых солей железа, лития, марганца и кобальта. Перекристаллизацию шихты производят на затравки, параллельные граням большого или малого ромбоэдров.

По данным спектрально-химического анализа содержание примесей, захваченных шихтовыми кристаллами кварца, составило, мас. железо 0,0036; литий 0,0012; марганец 0,00015; кобальт 0,0022.

При синтезе аметиста в раствор карбоната калия вводят добавки Fe2O3в количестве 15 кг и Mn(NO3)2 (окислитель) в количестве 5 кг.

Параметры в режиме роста кристаллов аметиста: температура кристаллизации Ткр 340оС, температурный перепад способ получения синтетического аметиста, патент № 2040596Т=29оС, давление Р=1100 кг/см2.

При этом получены кристаллы аметиста с интенсивностью окраски 1,98 бел и относительной плотностью двойников менее 8%

Сравнительные данные предлагаемого способа и прототипа сведены в таблицу.

Как видно из таблицы, наличие в искусственной шихте, перекристаллизованной из обычного жильного кварца, примеси кобальта позволяет значительно повысить интенсивность окраски аметиста. При этом примесь железа и марганца в синтезированной шихте может быть уменьшена на порядок и это не скажется на интенсивности окраски.

Предлагаемый способ осуществляется с помощью широко известного в области выращивания кристаллов гидротермального синтеза методом температурного перепада.

Процесс осуществляется в автоклавах емкостью до 7 м3, используемых в отечественной практике получения монокристаллов, рассчитанных на давление до 1200 кгсм2 и температуру до 500оС.

Автоклав имеет вертикальный цилиндрический корпус и снабжен средствами нагрева нижней и верхней частей. В нижнюю часть загружается шихта, в верхней размещаются затравочные пластины. Затем автоклав заливается рабочим раствором и герметизируется. Между нижней и верхней частями создается нужный температурный перепад и происходит процесс роста кристаллов.

Класс C30B7/10 применением давления, например гидротермическими способами

способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2460830 (10.09.2012)
деталь из искусственного кварца, способ ее изготовления и включающий ее оптический элемент -  патент 2441840 (10.02.2012)
способ выращивания монокристаллов кварца -  патент 2320788 (27.03.2008)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2320787 (27.03.2008)
способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты) -  патент 2296189 (27.03.2007)
затравка для выращивания монокристалла кварца (варианты) -  патент 2261294 (27.09.2005)
диафрагма автоклава для гидротермального выращивания кристаллов -  патент 2248417 (20.03.2005)
способ синтеза алмаза -  патент 2243153 (27.12.2004)
способ получения искусственных кристаллов кварца -  патент 2236489 (20.09.2004)

Класс C30B29/18 кварц

Наверх