способ обработки монокристаллов

Классы МПК:C30B33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского
Приоритеты:
подача заявки:
1992-02-12
публикация патента:

Сущность изобретения: резку ориентированного монокристалла производят по заданной плоскости в заданном направлении с переменной глубиной резания, которая изменяется в соответствии с выявленной для заданной плоскости резания диаграммой изменения твердости монокристалла по формуле, приведенной в тексте описания. Изобретение позволяет повысить точность обработки прецизионных деталей за счет управления параметрами процесса резания с учетом свойств монокристаллического материала, а также расширить технологические возможности обработки резанием, т. к. позволяет осуществлять обработку в любой плоскости с заранее известным распределением анизотропных свойств материала. 3 ил.

Формула изобретения

СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ путем резки ориентированного монокристалла по заданной плоскости в заданном направлении, отличающийся тем, что обработку производят с переменной глубиной резания, которая изменяется, в соответствии с выявленной для заданной плоскости резания диаграммой изменения твердости монокристалла по формуле

способ обработки монокристаллов, патент № 2036985

где ti переменное значение глубины резания, мм;

t0 начальное постоянное значение глубины резания, мм;

K коэффициент, определяемый экспериментальным путем;

Hi переменное значение твердости на диаграмме изменения твердости обрабатываемого монокристалла, кгс/мм2;

Hmin минимальное значение твердости на диаграмме изменения твердости монокристалла, кгс/мм2.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при производстве высокоточных деталей из монокристаллического материала.

Известны способы обработки резанием монокристаллов, при которых обработку производят в определенной плоскости по определенному направлению [1] [2] Недостатком таких способов является ограничение возможных плоскостей резания монокристалла для получения деталей заданного качества.

Известен способ обработки монокристаллов с ОЦК-решеткой, включающий ориентирование монокристалла и резание по плоскости, наклоненной под углом 15о к известной плоскости ориентации монокристалла [3] Недостатком данного способа, принятого за прототип, является то, что резание осуществляют на постоянном режиме. При этом также ограничиваются возможные плоскости резания и не учитывается анизотропия свойств монокристаллического материала в плоскости резания, что приводит к макроотклонениям формы обработанной детали.

При резании изотропных материалов для достижения требуемой точности обработки учитывается податливость технологической системы. При резании анизотропных материалов, свойства которых (твердость, упругость, прочность и т. д. ) меняются в разных направлениях, необходимо дополнительно учитывать кристаллографическую ориентацию обрабатываемого материала.

Известно, что монокристаллические материалы обладают анизотропией свойств, в частности твердости. При обработке резанием глубина внедрения режущей кромки инструмента в обрабатываемый материал обратно пропорциональна твердости этого материала с учетом жесткости технологической системы. Следовательно, при резании монокристаллического материала происходит неравномерный съем материала из-за переменного значения твердости в плоскости резания, что приводит к отклонению формы детали от заданной после изготовления.

На фиг. 1 представлена диаграмма изменения твердости монокристалла в плоскости резания; на фиг. 2 диаграмма отклонений формы монокристалла после точения с постоянной глубиной резания; на фиг. 3 диаграмма отклонений формы монокристалла после точения с переменной глубиной резания.

Способ осуществляют следующим образом.

Для анизотропного материала с заранее известной ориентацией определяют диаграмму изменения твердости в плоскости резания (см. фиг. 1) по справочным данным или экспериментальным путем. Далее производят резание монокристалла с постоянной глубиной резания tо. После обработки снимают диаграмму отклонений формы обработанной поверхности монокристалла (см. фиг 2), по которой определяют максимальное способ обработки монокристаллов, патент № 2036985макc отклонение формы детали. Затем рассчитывают коэффициент К, учитывающий конкретные условия обработки (жесткость технологической системы, свойства обрабатываемого материала, форму и тип инструмента и т.д.) по формуле

K способ обработки монокристаллов, патент № 2036985 (1) где способ обработки монокристаллов, патент № 2036985макc максимальное отклонение формы монокристалла после обработки с постоянной глубиной резания, мм;

Нмин минимальное значение твердости на диаграмме изменения твердости монокристалла, кгс/мм2;

способ обработки монокристаллов, патент № 2036985 Н диапазон изменения твердости монокристалла, кгс/мм2;

tо начальное постоянное значение глубины резания, мм.

С учетом коэффициента K, определяемого для каждого конкретного случая, резание монокристалла производят с переменной глубиной резания ti в соответствии с выявленной для плоскости резания диаграммой изменения твердости обрабатываемого монокристалла (см. фиг. 1) так, что

ti= tспособ обработки монокристаллов, патент № 2036985I+Kспособ обработки монокристаллов, патент № 2036985 способ обработки монокристаллов, патент № 2036985 (2) где ti переменное значение глубины резания, мм;

tо начальное постоянное значение глубины резания, мм;

К коэффициент, определяемый экспериментальным путем;

Нi переменное значение твердости на диаграмме изменения твердости обрабатываемого монокристалла, кгс/мм2;

Нмин минимальное значение твердости на диаграмме изменения твердости монокристалла, кгс/мм2.

П р и м е р. В качестве примера анизотропного материала обрабатывался монокристалл из жаропрочного никелевого сплава типа ЖС. Предварительно для него была определена диаграмма изменения твердости в плоскости резания методом измерения микротвердости на приборе ПМТ-3 (см. фиг. 1). При этом максимальное значение твердости составило Нмакс= 650 кгс/мм2, минимальное Нмин= 525 кгс/мм2, диапазон изменения твердости монокристалла способ обработки монокристаллов, патент № 2036985 Н= 125 кгс/мм2.

После токарной обработки на станке с чпу мод.СПК-250 с начальной постоянной глубиной резания tо= 0,35 мм, скоростью V=5 м/мин, подачей S=0,05 мм/об была снята диаграмма отклонений формы обработанной поверхности детали (см. фиг. 2), из которой было определено максимальное отклонение формы способ обработки монокристаллов, патент № 2036985макc= 0,015 мм.

По полученным значениям в соответствии с формулой (1) был рассчитан коэффициент К= 0,17, с учетом которого была произведена токарная обработка монокристалла с переменной глубиной резания ti в диапазоне 0,350-0,364 мм в соответствии с предложенной формулой (2). Из диаграммы отклонений формы детали, обработанной с переменной глубиной резания (см. фиг. 3), видно, что отклонения формы уменьшились и составили 0,006 мм.

Предлагаемый способ обработки резанием монокристаллов позволяет по сравнению с известными повысить точность обработки прецизионных деталей за счет управления параметрами процесса резания с учетом свойств монокристаллического материала. Способ расширяет технологические возможности обработки резанием монокристаллов, так как позволяет осуществлять обработку в любой плоскости с заранее известным распределением анизотропных свойств материала.

Класс C30B33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором -  патент 2524941 (10.08.2014)
способ обработки цилиндрических поверхностей сапфировых деталей, сапфировая плунжерная пара и насос-дозатор на ее основе -  патент 2521129 (27.06.2014)
монокристаллический алмазный материал -  патент 2519104 (10.06.2014)
способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт -  патент 2497981 (10.11.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза -  патент 2489532 (10.08.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой -  патент 2485222 (20.06.2013)
лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения -  патент 2484187 (10.06.2013)
Наверх