магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута

Классы МПК:C01G33/00 Соединения ниобия
C01G29/00 Соединения висмута
H01G4/12 керамические диэлектрики
H01B3/12 керамику 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Ненашева Елизавета Аркадьевна,
Картенко Нелли Федоровна
Приоритеты:
подача заявки:
1990-10-15
публикация патента:

Сущность изобретения: новое соединение - магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута формулы (Bi2/3[]1/3)2(Me2+1/3Nb2/3)2O6[]1 , где [] - вакансии, Me2+ - Mg, Zn или Ni. Соединение используют в качестве высокочастотных конденсаторных материалов с высокой диэлектрической проницаемостью при сохранении температурного коэффициента диэлектрической проницаемости и малом значении тангенса угла диэлектрических потерь. 4 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

МАГНИЙ-, ЦИНК-, НИКЕЛЬЗАМЕЩЕННЫЕ НИОБАТЫ ВИСМУТА кристаллохимической формулы

(Bi2/3[ ]1/3)2(Me2+1/3Nb2/3)2O6[ ]1,

где [ ] - вакансии;

Me 2+ - магний, цинк или никель,

имеющие структурную формулу

магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207

в качестве высокочастотных конденсаторных материалов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к химическим соединениям оксидов ниобия, висмута и двухвалентных металлов - магния, цинка и никеля общей формулы (Bi2/3[ ] 1/3)2 (Me1/32+Nb2/3)2O6[]1, где [ ] - вакансии, Ме2+- Mg2+, Zn2+ или Ni2+, и может быть использовано для производства высокочастотных керамических конденсаторов.

В настоящее время при изготовлении указанных конденсаторов широко используют соединения титанатов и ниобатов щелочноземельных элементов, а также магния и висмута, также как SrTiO3, CaTiO3, MgTiO3, Bi2Ti2O7, Pb2Nb2O7 и другие, свойства которых приведены в табл. 1 и описаны в литературе.

Как видно из данных, приведенных в табл. 1, в производстве керамических конденсаторов используются соединения различной кристаллической структуры. Соединения со структурой перовскита SrTiO3, CaTiO3 характеризуются сравнительно высокой диэлектрической проницаемостью магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 = 250,150 и большим отрицательным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТКЕ = -2500.10-6 град-1 или -1500.10-6 град-1, соответственно.

Применяемое в производстве конденсаторов соединение Pb2Nb2O7 со структурой пирохлора, имея магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 140, также характеризуется большим отрицательным температурным коэффициентом ТКЕ, а соединение дититаната лантана (La2Ti2O7) или неодима (Nd2TiO7) обладают малой магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 40-50 при небольших положительных значениях ТКЕ (см.табл. 1).

При этом все соединения имеют температуру спекания Тсп.(1200-1400)оС, что не позволяет получать на их основе низкотемпературные керамические материалы для конденсаторов и использовать в качестве электродов монолитных конденсаторов низкотемпературные композиции, в частности сплавы Ag-Pd.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости керамических материалов при сохранении величины температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКЕ и снижение их температуры спекания для изготовления высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп ТКЕ.

Поставленная цель достигается тем, что в качестве основы высокочастотных конденсаторных керамических материалов предлагается использовать новое соединение со структурой дефектного пирохлора - магний, цинк, никельзамещенные ниобаты висмута (Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/32+Nb2/3)2O6[]1, где [ ] - вакансии, Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+ структурной формулы

магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 Для структурного типа пирохлора общая формула имеет вид А2В2О7, где А и В - металлы, образующие собственные подрешетки. В предлагаемом соединении в качестве элемента А выступает Вi3+, а элемента В - Nb5+ и двухвалентные металлы Ме2+ - -Мg2+, Zn2+ или Ni2+.

Предложенное соединение получают методом твердофазного синтеза из оксидов ниобия, висмута и двухвалентного металла Мg2+, Zn2+ или Ni2+. Химический состав соединения общей формулы (Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/32+Nb2/3)2O6[ ]1или (Вi0,67[ ] 0,33)2(Me2+0,33 Nb0,67)2O6[ ]1, где Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+, приведен в табл. 2.

Ниже приведены примеры синтеза нового соединения.

П р и м е р 1. Оксиды висмута, ниобия и магния, взятые в мольном соотношении 1: 1: 1, что соответствует массовому соотношению, приведенному в табл. 2 для примера 1, смешивают и размалывают в вибромельнице, после чего производят синтез соединения при температуре Тс = 850-900оС в камерной печи в течение 2 ч. Затем синтезированный продукт размалывают в вибромельнице или, при необходимости, в мельнице мокрого помола в течение 1-3 или 10-12 ч до удельной поверхности Sуд = (0,6-1,5) м2/г. При применении мокрого помола полученный продукт подвергают сушке, затем приготавливают пресс-порошок, прессуют образцы в форме дисков при удельном давлении Р магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 1000 кг/см2. образцы спекают в интервале 1120-1180оС в течение 2 ч. спеченные дисковые образцы покрывают серебросодержащей пастой, которую вжигают при температуре (840 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 20)оС, после чего измеряют электрические характеристики.

П р и м е р 2. Оксиды висмута, ниобия и цинка, взятые в мольном соотношении 1: 1:1, что соответствует массовому соотношению примера 2, подвергают помолу и смешению в вибромельнице, производят синтез при Тс=850-900оС в камерной печи в течение 1,5-2,0 ч. Затем синтезированный продукт размалывают в вибромельнице в течение 1-3 ч или мельнице мокрого помола в течение 10-15 ч до величины удельной поверхности Sуд. = (0,6-1,5) м2/г. После высушивания и приготовления пресс-порошка приготавливают образцы методом прессования при Руд. = 1000 кг/см2, которые спекают в интервале 1020-1120оС, покрывают электродной пастой, которую вжигают при (840 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 20)оС измеряют электрические характеристики.

П р и м е р 3. Оксиды висмута, ниобия и никеля в количествах, соответствующих массовым соотношениям, указанным в примере 3 табл. 2, смешивают и синтезируют в условиях, аналогичных примерам 1 и 2. Спекание образцов осуществляют в интервале 1080-1160оС в течение 2 ч.

Предлагаемые химические соединения обладают принципиально новой атомной структурой, обусловливающей повышение диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания, что позволяет использовать его в качестве диэлектрика высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп ТКЕ.

Рентгеноструктурный фазовый анализ образцов проведен на отечественных дифрактометрах ДРОН-2 и ДРОН-3 с гониометрической приставкой ГП-4 для исследования поликристаллических образцов.

Для определения атомной структуры предлагаемых соединений выполнен анализ интенсивности 28 рефлексов однофазных порошковых образцов керамики составов, соответствующих мольным отношениям: 1Bi2O3 1Nb2O51Me2+O, где Мe2+ - -Mg2+, Zn2+или Ni2+. Сбор интенсивности проведен на рентгеновском дифрактометре ДРОН-2. Использовалось Сu, K магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 - излучение, Ni - фильтр. Режим работы трубки: напряжение 40 кВ, ток 18 mА. Регистрацию интенсивностей производили в режиме непрерывной записи со скоростью движения детектора 0,5 град/мин. Для повышения чувствительности и точности измерения рефлексов использовали различные масштабы записи (шкалы регистрации интенсивности). Интегральную интенсивность оценивали по площади пиков. Расчет теоретических значений интенсивностей и уточнение параметров проводили на ЭВМ по программе Гамильтона с использованием блок-диагонального метода МНК. Фактор сходимости экспериментальных и расчетных значений IK = 11,05%.

В соответствии с предложенной кристаллохимической формулой, рассчитана рентгеновская плотность полученных соединений и сопоставлена с экспериментальной. Определение экспериментальной плотности проведено методом гидростатического взвешивания.

Идеальный состав соединения соответствует мольному отношению оксидов висмута, двухвалентного металла Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+ и ниобия 1:1:1 - 1 Bi2O3 x x 1Me2+O магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 20212071Nb2O5. Этот состав можно записать в виде Вi2Мe2+Nb2O9 или Вi2/3Me1/32+ Nb2/3O3. Атомы Me2+ и Nb занимают позиции атомов в подрешетке В в структуре типа А2В2О7 статистически. Это подтверждается отсутствием сверхструктуры в образцах соединения. Все фиксируемые рефлексы (см.табл. 3) в зависимости от состава Ме2+описываются параметрами решетки: а= 10,542 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 (для Ме2+ = Ni2+), а = 10,557 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 (для Ме2+= Мg2+) и а = 10,560 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 (для Ме2+ = Zn2+).

В соответствии с пространственной группой пирохлора Fd3m (N 227), атомы в структуре занимают следующим кристаллографические позиции:

B1 16с 1/8 1/8 1/8

Me2+, Nb 16d 5/8 5/8 5/8

01 48f x 0 0 X = 0,3065

02 8a 0 0 0

В табл. 3 приведены экспериментальные (dэксп.) и вычисленные (dвыч.) по параметрам элементарной ячейки "а" межплоскостные расстояния для соединений составов:

(Bi2/3[ ]1/3)2(Ni1/3Nb2/3)2O6[ ]1,

(Bi2/3[]1/3)2(Mg1/3Nb2/3)2O6[ ]1.

(Bi2/3[ ]1/3)2(Zn1/3Nb2/3)2O6[ ]1.

Рентгеновская плотность для указанного состава, например для Ме2+ = Мg2+ равна 6,28 г/см3, экспериментальная плотность - 6,19 г/см3.

Наблюдаемая сходимость экспериментальных и расчетных данных подтверждает достоверность предлагаемой кристаллографической модели структуры "дефектного" пирохлора, в которой вакансии статистически распределены в А-подрешетке и в позициях атомов кислорода.

При приведении состава предлагаемого соединения к формуле структурного типа пирохлора получены следующие кристаллохимические формулы:

(Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/32+Nb2/3)2O6[ ]1 или

(Bi0,67[ ]0,33)2(Me0,33+Nb0,67)2O6[ ]1, где [ ] - вакансии,

Me2+ - Mg2+, Zn2+ или Ni2+.

Для идеального состава, как видно из формулы, образуется 1/3 вакансий в позициях атомов А и 1/7 вакансий в позициях атомов кислорода.

Электрические свойства и параметры решетки для трех соединений ниобатов висмута со структурой пирохлора приведены в табл. 4.

Как видно из приведенных данных, соединения ниобатов висмута обладают высокой диэлектрической проницаемостью магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 = =145-148 при ТКЕ, удовлетворяющих группам температурной стабильности М330 (ТКЕ = -(330 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 60).10-6 град-1) и М470 (ТКЕ = =-(470 магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 60).10-6 град-1), малыми диэлектрическими потерями tg магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 = (2-3).10-4 и высоким удельным объемным сопротивлением ( магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207v при температуре 155оС магний-, цинк-, никельзамещенные ниобаты висмута, патент № 2021207 1012...1013 Ом,см), что соответствует требованиям, предъявленным к керамике для высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп по ТКЕ.

Класс C01G33/00 Соединения ниобия

способ получения шихты ниобата лития для выращивания монокристаллов -  патент 2502672 (27.12.2013)
способ получения планарного волновода оксида цинка в ниобате лития -  патент 2487084 (10.07.2013)
способ получения покрытых аморфным углеродом наночастиц и способ получения карбида переходного металла в форме нанокристаллитов -  патент 2485052 (20.06.2013)
способ получения пентафторида ниобия и/или тантала -  патент 2482064 (20.05.2013)
способ получения интеркаляционных соединений на основе слоистых дихалькогенидов металлов и катионов тетраалкиламмония -  патент 2441844 (10.02.2012)
субоксиды ниобия -  патент 2424982 (27.07.2011)
способ производства карбида переходного металла и/или сложного карбида переходного металла -  патент 2417949 (10.05.2011)
способ получения чистого пентахлорида ниобия и устройство для его осуществления -  патент 2381179 (10.02.2010)
порошок оксида вентильного металла и способ его получения -  патент 2378199 (10.01.2010)
порошок недоокиси ниобия, анод из недоокиси ниобия и конденсатор с твердым электролитом -  патент 2369563 (10.10.2009)

Класс C01G29/00 Соединения висмута

Класс H01G4/12 керамические диэлектрики

способ изготовления сегнетоэлектрических конденсаторов -  патент 2523000 (20.07.2014)
способ спекания изделий диэлектрической керамики -  патент 2516532 (20.05.2014)
способ изготовления конденсаторов большой энергоемкости -  патент 2450381 (10.05.2012)
сегнетокерамический конденсаторный диэлектрик для изготовления керамических конденсаторов температурно-стабильной группы -  патент 2413325 (27.02.2011)
способ формирования состава твердых растворов для изделий высокочастотной и микроволновой техники (варианты) -  патент 2242442 (20.12.2004)
высокочастотный керамический материал (варианты) -  патент 2170219 (10.07.2001)
керамический материал на основе цинкзамещенного ниобата висмута -  патент 2167842 (27.05.2001)
конденсатор керамический -  патент 2140678 (27.10.1999)
способ изготовления монолитных керамических конденсаторов -  патент 2084035 (10.07.1997)
шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих материалов и способ получения материала из нее -  патент 2079916 (20.05.1997)

Класс H01B3/12 керамику 

Наверх