генератор свч

Формула изобретения

ГЕНЕРАТОР СВЧ, содержащий отрезок прямоугольного волновода с подключенными перпендикулярно к широкой стенке отрезками коаксиальных линий, в которые включены емкостные элементы и внутренние проводники которых соединены с полупроводниковыми генераторными диодами, установленными на короткозамкнутых поршнях и подключенными к источникам питания, отличающийся тем, что емкостные элементы коаксиальных линий выполнены в виде металлических диафрагм, установленных перпендикулярно к отрезкам коаксиальных линий в месте подключения их к широкой стенке отрезка прямоугольного волновода на полуволновых расстояниях полупроводниковых генераторных диодов, а величина с их емкости C выбрана из соотношения

C = - ,

где _o - частота резонансного контура, образованного реактивностями полупроводникового генераторного диода;

_г - частота генерации;

_d - характеристическое сопротивление контура, образованного реактивностью полупроводникового генераторного диода.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоприемных и радиопередающих устройствах СВЧ.

Изобретение поясняется чертежом.

Генератор содержит отрезок 1 прямоугольного волновода с подключенными к его широкой стенке отрезками 2 коаксиальных линий, внутренние проводники 3 которых соединены с полупроводниковыми генераторными диодами 4, установленными на короткозамкнутых поршнях 5. В плоскости широкой стенки отрезка 1, в месте подключения отрезков 2, установлены металлические диафрагмы 6, которые могут быть закреплены на внешних, внутренних либо на тех и других проводниках отрезков 2. При этом диафрагма 6, закрепленная на внутреннем проводнике, имеет форму диска, а на внешнем - форму диска с прорезью.

Генератор работает следующим образом.

Электрические колебания, которые генерируют диоды 4, трансформируются отрезками 2, диафрагмами 6 и суммируются в отрезке 1. Эквивалентная схема диода 4 может быть представлена параллельным соединением емкости С и цепи, состоящей из последовательно соединенных индуктивности L_d и активного сопротивления R_d. Резонансное сопротивление R_od такого контура равно

R_od = _d²/R_d, где _d = - характеристическое сопротивление контура, образованного реактивностями диода.

Включение диафрагм 6 на полуволновом расстоянии от диодов 4 эквивалентно включению в контур дополнительной емкости С, а резонансное сопротивление контура уменьшится и будет равно R_od = , а его резонансная частота _г = , откуда C = - , где _o = - резонансная частота контура, образованного реактивностями диода 4. Использование диафрагмы 6 позволяет добиться величины резонансного сопротивления отрезка 2 меньшей, чем диода 4, а следовательно, добиться максимального согласования.