способ контроля параметров диэлектрика на металлическом основании

Классы МПК:G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры,
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского
Приоритеты:
подача заявки:
1989-07-20
публикация патента:

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может использоваться для одновременного контроля в ходе технологического процесса двух параметров диэлектрических пленок на металлическом основании. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых величин. Способ контроля толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрика включает одновременное облучение исследуемого диэлектрика на металлическом основании излучением в СВЧ и ВЧ диапазонах, причем частоту ВЧ излучения выбирают из условия, что толщина схемы-слоя меньше толщины металлического основания, измерение изменений величин продетектированных сигналов на ВЧ и СВЧ в отсутствии диэлектрика на металлическом основании и в его присутствии и определение толщины и диэлектрической проницаемости по измеренным величинам по расчетным соотношениям. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИКА НА МЕТАЛЛИЧЕСКОМ ОСНОВАНИИ, включающий облучение исследуемого образца излучением СВЧ и ВЧ и измерение величин продетектированных сигналов, отраженных от образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения одновременного контроля толщины и величины диэлектрической проницаемости в широком диапазоне измеряемых значений, облучение в СВЧ- и ВЧ-диапазонах осуществляют одновременно, причем частоту ВЧ-излучения выбирают из условия обеспечения величины скин-слоя, меньшей толщины металлического основания, дополнительно измеряют величины продетектированных сигналов в отсутствии диэлектрика и в его присутствии определяют толщину и диэлектрическую проницаемость по соотношениям

d= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uк1;

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871aспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Ui2,

где n - степень используемого полинома;

aij - коэффициенты полиномов, описывающих калибровочную совокупность значений диэлектрической проницаемости, как функции продетектированного сигнала и толщины;

bк - коэффициент полинома, описывающего калибровочную зависимость величины продетектированного сигнала от толщины;

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871U1 , способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871U2 - изменения величин продетектированных сигналов соответственно в ВЧ- и СВЧ-диапазонах.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, например, для одновременного контроля в ходе технологического процесса двух параметров толщины и диэлектрической проницаемости, диэлектрических пленок, наносимых на металлическое основание.

Цель изобретения - обеспечение одновременного контроля толщины и величины диэлектрической проницаемости в широком диапазоне измеряемых значений.

На чертеже приведена конструкция устройства, реализующего способ контроля параметров диэлектрика на металлическом основании.

Устройство содержит корпус 1 измерительного датчика, диод 2 Ганна; детекторный СВЧ-диод 3, катушку 4 индуктивности ВЧ-генератора, настроечный поршень 5, фторопластовую заглушку 6.

Способ осуществляется следующим образом.

Измерительный датчик представляет собой волноводный СВЧ-генератор, собранный по схеме автодинного детектора. Поверх волновода вблизи переднего фланца расположена катушка индуктивности ВЧ-генератора, при этом ВЧ-генератор становится нечувствительный к толщине металлического основания.

Толщину и диэлектрическую проницаемость определяют из соотношений

d= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uк1 /1/

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871aспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Ui2 /2/ где d - толщина исследуемого диэлектрика,

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 - диэлектрическая проницаемость исследуемого диэлектрика,

n - степень используемого полинома,

aij - коэффициенты полиномов, описывающих калибровочную совокупность значения диэлектрической проницаемости, как функции продетектирования сигнала и толщины,

bк - коэффициенты полинома, описывающего калибровочную зависимость величины продетектированного сигнала от толщины,

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871U1 - изменение величины продетектированного сигнала на ВЧ,

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871U2 - изменение величины продетектированного сигнала на СВЧ.

Перед началом измерения производится калибровка измерительного датчика, заключающаяся в определении коэффициентов aij и bк.

Для определения коэффициентов bк берется комплект из не менее n-образцов, /n - показатель степени используемого полинома, т. е. чтобы найти bк/ где к= 1 способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 n/, необходимо решить систему уравнения, в которой количество уравнений должно быть не менее количества неизвестных/. В данном случае n выбирается равной 5, количество образцов равно 7. Образцы должны быть с известной заранее толщиной и равные по толщине.

Измерительный датчик устанавливается на металлическое основание, фиксируется величина продетектированного сигнала на ВЧ, затем на металлическое основание кладется первый калиброванный образец, на образец устанавливается измерительный датчик, вновь фиксируется величина продетектированного сигнала на ВЧ, вычисляется способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 U1, записывается уравнение

d1= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uк1

Также проводятся измерения по всем остальным образцам и заполняется система уравнений

dq= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871bкспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Uк1q, q= 1, . . . 7 /3/

Методом наименьших квадратов вычисляются коэффициенты bк.

Для определения коэффициентов aij сначала определяют коэффициенты Ci способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 системы

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Ciспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871Ui2способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 /4/

где n= 5; способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = 7; способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = 7.

Для определения необходимо семь комплектов по семь образцов в каждом.

В каждом отдельном комплекте толщина образцов постоянная, а диэлектрическая проницаемость разная. В каждом комплекте одинаковый набор по способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 , т. е.

способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287111 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287112 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287113 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287114 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287115 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287116 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287117 способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287121 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287122 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287123 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287124 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287125 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287126 = способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 201287127 и т. д.

/ способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 - порядковый номер образца в комплекте, способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 - порядковый номер комплекта/.

Между собой комплекты различаются по толщине образцов. Системы /4/ заполняются так же, как и системы /3/, после чего методом наименьших квадратов вычисляются коэффициенты Ciспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 . После этого из коэффициентов Ciспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 и известных diспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 /при способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871= const diспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 равны между собой, т. е. diспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 - толщины образцов в комплектах/ заполняется система

Ciспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871= способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871aijdjiспособ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 /5/

Коэффициенты aij также находятся методом наименьших квадратов.

После определения bк и aij калибровка измерительного датчика закончена и можно начинать измерение исследуемых образцов. Для этого определяют режимы работы по постоянному току на СВЧ и ВЧ присутствие и в отсутствие исследуемого образца, определяют изменения способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871U1 и способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 U2и по соотношениям 1 и 2 находят толщину и диэлектрическую проницаемость исследуемого образца.

В качестве примера по калибровочным образцам с способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = 1-14 и d= 0,001-10 мм были определены bк и aij.

Используя коэффициенты bк и aij для образца с толщиной 1 мм и диэлектрической проницаемостью 9, получены результаты: d= 0,99 мм, способ контроля параметров диэлектрика на металлическом   основании, патент № 2012871 = 9,02.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет проводить измерения в более широком диапазоне непосредственно в технологическом процессе. (56) Конев В. А. , Михнев В. А. Двухпараметровый контроль листовых материалов диэлектрическими волновыми датчиками. "Дефектоскопия", 1989 , N 1, с. 51-56.

Авторское свидетельство СССР N 1831121, кл. G 01 N 22/00, 1988.

Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
контрольное устройство миллиметрового диапазона -  патент 2521781 (10.07.2014)
система и способ досмотра субъекта -  патент 2517779 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и энергии активации примесных центров полупроводниковых слоев -  патент 2516238 (20.05.2014)
антенна-аппликатор и устройство для определения температурных изменений внутренних тканей биологического объекта путем одновременного неинвазивного измерения яркостной температуры внутренних тканей на разных глубинах -  патент 2510236 (27.03.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле -  патент 2507506 (20.02.2014)
способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления -  патент 2507505 (20.02.2014)
Наверх