Устройства для определения электрических свойств, устройства для определения местоположения электрических повреждений, устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах: ...интегральных схем – G01R 31/303

Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью. Технический результат, на достижение которого направлено изобретение, заключается в повышении точности определения радиационной стойкости интегральных микросхем в случае неполного восстановления параметров при низкотемпературной термообработке после облучения малой дозой ионизирующего излучения и обеспечение отбраковки аномальных изделий. Предложенный способ разделения интегральных микросхем по радиационной стойкости и надежности включает в себя облучение микросхем малой дозой ионизирующего излучения с количеством этапов не менее двух и измерением помимо стандартных параметров минимального напряжения питания, при котором сохраняется их функционирование, прогнозирование дозы отказа по изменению параметров от дозы облучения, отжиг облученных микросхем и определение надежности по отклонению одного или нескольких параметров от исходных значений до облучения. После этапа отжига дополнительно производят определение дозы отказа по результатам измерения исходных значений параметров и конечных значений параметров после облучения и низкотемпературного отжига интегральных микросхем, после чего выявляют аномальные микросхемы путем оценки выскакивающих результатов измерений конечных значений параметров. 1 ил., 2 табл.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"полупроводниковых приборах». / Материалы докладов Международного научно-технического семинара. - М.: Московский энергетический институт, 1997, с.335-342.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности. Технический результат: высокий уровень достоверности. Сущность: проводят измерения m-характеристик цепей интегральных схем в диапазоне прямого тока (1-10 мА) в исходном состоянии, после воздействия 5-10 электростатических разрядов (ЭСР) положительной и отрицательной полярности и после термического отжига в течение 4-8 часов. Определяют значения коэффициента где m_Н, m_ЭСР , m_ОТЖ - максимальные значения m-характеристик в исходном состоянии, после ЭСР и после термического отжига соответственно. Поводят отбор интегральных схем, удовлетворяющих двум критериям: 1 m А и К В, где значения А и В устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типономинала интегральных схем. 2 табл.