дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля

Формула изобретения

Дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля, содержащий входной параллельно-балансный каскад (1) с первым (2) и вторым (3) синфазными токовыми выходами, третьим (4) и четвертым (5) синфазными токовыми выходами, противофазными первому (2) и второму (3) токовым выходам, токовое зеркало (6), вход которого соединен со вторым (3) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1), а выход подключен к третьему (4) токовому выходу входного параллельно-балансного каскада (1) и входу (7) буферного усилителя (8), отличающийся тем, что в схему введен дополнительный транзистор (9), эмиттер которого соединен с первым (2) и четвертым (5) токовыми выходами входного параллельно-балансного каскада (1), база соединена со входом токового зеркала (6), причем тип проводимости входного транзистора (10) буферного усилителя (8) совпадает с типом проводимости дополнительного транзистора (9).

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в прецизионных компараторах и операционных усилителях (ОУ) с малыми значениями эдс смещения нуля).

В современной микроэлектронике широко используются дифференциальные усилители, у которых входной параллельно-балансный каскад имеет две группы парафазных выходов [1-13]. Выходы первой группы, так же как и выходы второй группы - синфазны друг с другом, но противофазны выходам второй группы. Нагрузкой входного параллельно-балансного каскада на биполярных транзисторах являются токовые зеркала и буферный усилитель. Данная архитектура характеризуется малым напряжением смещения нуля [1]. Однако данный положительный эффект реализуется только при использовании в качестве токового зеркала и буферного усилителя классических схем на полевых транзисторах. Если в качестве данных функциональных узлов применяются известные схемы на биполярных транзисторах, то напряжение смещения нуля существенно деградирует.

Наиболее близким по сущности к заявляемому техническому решению является схема ДУ фиг.1, представленная в патентной заявке WO 2002/009275, которая также присутствует в большом числе других патентов [1-13]. Функциональная схема ДУ-прототипа соответствует чертежу фиг.2.

Существенный недостаток известного ДУ фиг.1-2 состоит в том, что он имеет повышенное значение систематической составляющей напряжения смещения нуля (U_см), зависящей от свойств его архитектуры.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в уменьшении абсолютного значения U_см и его температурного дрейфа.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 синфазными токовыми выходами, третьим 4 и четвертым 5 синфазными токовыми выходами, противофазными первому 2 и второму 3 токовым выходам, токовое зеркало 6, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а выход подключен к третьему 4 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1 и входу 7 буферного усилителя 8, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введен дополнительный транзистор 9, эмиттер которого соединен с первым 2 и четвертым 5 токовыми выходами входного параллельно-балансного каскада 1, база соединена со входом токового зеркала 6, причем тип проводимости входного транзистора 10 буферного усилителя 8 совпадает с типом проводимости дополнительного транзистора 9.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1-2. На фиг.3 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.

На фиг.4 приведена схема заявляемого устройства фиг.3 для случая, когда основные транзисторы имеют р-тип проводимости.

На фиг.5 показаны схемы дифференциального усилителя - прототипа (левая часть) и заявляемого ДУ (правая часть) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».

На фиг.6 приведены температурные зависимости напряжения смещения нуля схем фиг.5.

Дифференциальный усилитель фиг.3 (фиг.4) содержит входной параллельно-балансный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 синфазными токовыми выходами, третьим 4 и четвертым 5 синфазными токовыми выходами, противофазными первому 2 и второму 3 токовым выходам, токовое зеркало 6, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а выход подключен к третьему 4 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1 и входу 7 буферного усилителя 8. В схему введен дополнительный транзистор 9, эмиттер которого соединен с первым 2 и четвертым 5 токовыми выходами входного параллельно-балансного каскада 1, база соединена со входом токового зеркала 6, причем тип проводимости входного транзистора 10 буферного усилителя 8 совпадает с типом проводимости дополнительного транзистора 9.

В схеме фиг.3 статический режим входного транзистора 10 буферного усилителя 8 устанавливается двухполюсником 11, а входной параллельно-балансный каскад 1 реализован на транзисторах 12, 13, 14, 15 и токостабилизирующем двухполюснике 16. Токовое зеркало в схеме фиг.3 реализовано на транзисторах 17, 18 и 19.

Рассмотрим факторы, определяющие систематическую составляющую напряжения смещения нуля U_см в схеме фиг.4, т.е. зависящие только от схемотехники ДУ.

Если ток двухполюсника 16 равен величине 4I ₀, то токи выходов 2, 3, 4 и 5, а также входной (I _вх.₆) и выходной (I_вых.6) токи подсхемы 6

где I_б.р=I_э.i/ _i - ток базы n-p-n транзистора 9 (12, 13, 14, 15, 16) при эмиттерном токе I_э.i=I₀;

_i - коэффициент усиления по току базы n-p-n транзистора.

Как следствие, разность токов в узле «А» при его коротком замыкании на эквипотенциальную общую шину

где I_БУ=2I_бр - ток базы n-p-n транзистора 10 буферного усилителя 8. Подставляя (1)÷(4) в (5), находим, что разностный ток, определяющий U_см.1

Как следствие, при I_р=0 не требуется смещения нуля ДУ фиг.4 на величину U_см.1 , подача которого на его входы Вх.⁽⁺⁾1, Вх.^(-) 2 компенсирует разностный ток I_р в узле «А».

Таким образом, в заявляемом устройстве уменьшается систематическая составляющая U_см.1, обусловленная конечной величиной транзисторов и его радиационной (или температурной) зависимостью. Как следствие, это уменьшает U_см.1, так как разностный ток I_Р в узле «А» создает U_см.1 , зависящее от крутизны преобразования входного дифференциального напряжения u_вх ДУ в выходной ток узла «А»

где r_э13=r_э14 - сопротивления эмиттерных переходов входных транзисторов 13 и 14 дифференциального каскада 1.

Поэтому для схем фиг.3-4

где _т=26 мВ - температурный потенциал.

В ДУ-прототипе I_р 0, поэтому здесь систематическая составляющая U_см получается на порядок больше (U_см.1=-1,16 мВ), чем в заявляемой схеме (U_см.1=5,9 мкВ(фиг.6)).

Кроме этого в схеме фиг.4 величина второй составляющей U _см.2, обусловленной внутренней обратной связью в транзисторах 13 и 14, также существенно уменьшается. При этом условие минимизации этой составляющей (U_см.2) определяются формулой

где U₃, U₄ - статические напряжения на выходах 3 и 4.

Для обеспечения равенства (9) в схему могут вводиться цепи смещения потенциалов (V ₁, V₂ - фиг.5).

Компьютерное моделирование схем фиг.5 подтверждает (фиг.6) данные теоретические выводы.

Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине статической ошибки усиления сигналов постоянного тока.

Источники информации

1. Патентная заявка WO 2002/009275

2. Патент США № 4267517

3. Патент США № 5262682

4. Патент RE035.26 fig.2

5. Авт.св. СССР № 1385255

6. Патент США № 4147944

7. Патент США № 4618833

8. Патент США № 5182526

9. Патент США № 5880636

10. Патент США № 3801923

11. Патент США № 4390850

12. Патент США № 5734296

13. Патентная заявка США 2001/023251.