Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .....с потенциальным барьером Шотки – H01L 31/108

МПК Раздел H H01 H01L H01L 31/00 H01L 31/108

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

H01L 31/108 .....с потенциальным барьером Шотки

Патенты в данной категории

	ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕРАГЕРЦЕВОЕ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО С РАЗРЕШЕНИЕМ ПО ВРЕМЕНИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ ЭТО УСТРОЙСТВО Предложенный оптический элемент включает в себя полупроводниковый слой, имеющий ширину запрещенной энергетической зоны, превышающую энергию фотонов света, и множество электродов в электрическом контакте с полупроводниковым слоем. По меньшей мере, один из электродов образует барьер Шотки между электродом и полупроводниковым слоем, причем этот барьер Шотки имеет высоту барьера, меньшую, чем энергия фотонов света. По меньшей мере, часть переходной поверхности между электродом, который образует барьер Шотки, и полупроводниковым слоем включает в себя облучаемую светом поверхность, расположенную с возможностью облучения светом с поверхности полупроводникового слоя без электродов, и участок обеспечивающей взаимодействие структуры, выполненной с возможностью взаимодействия с терагерцевой волной, которая генерируется или обнаруживается посредством облучения светом. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности генерирования терагерцевых волн. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 пр., 6 ил.	2462790 патент выдан: опубликован: 27.09.2012
	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ-ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ Использование: в области ядерной медицины, радиационной диагностике, в атомной энергетике, астрономии, физике космических лучей и т.д. Технический результат изобретения: исключение «поляризационного эффекта» за счет использования улучшенной конфигурации электрода. Сущность: полупроводниковый элемент-детектор излучения с барьером Шоттки включает кристалл полупроводникового соединения, содержащего в качестве главных компонентов кадмий и теллур, средства для приложения напряжения к кристаллу полупроводникового соединения. Указанные средства приложения напряжения содержат соединение индия, кадмия и теллура In_xCd_yTe_z , сформированное на одной поверхности кристалла полупроводникового соединения. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.	2281531 патент выдан: опубликован: 10.08.2006
	ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ДАТЧИКОМ НА ОСНОВЕ КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТКИ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ). Для измерения температуры и возможности регистрации УФИ одним датчиком в условиях повышенной температуры ИС с полупроводниковым датчиком на основе карбидокремниевого диода Шотки (ДШ), содержащим подложку, выполненную из монокристаллического карбида кремния n⁺-типа проводимости с эпитаксиальным n-слоем, омический электрод (ОЭ), соединенный с n⁺-областью подложки, электроизоляционное покрытие, нанесенное на n-слой подложки со стороны, противоположной n⁺-области подложки, выпрямляющий электрод (ВЭ) из полупрозрачного слоя Au, соединенный с n-слоем подложки с образованием контакта Шотки через окно, выполненное в электроизоляционном покрытии, и выводной контакт (ВК), присоединенный к ВЭ. Между ВК и ОЭ подключена внешняя электрическая цепь, в которой установлены блок питания (БП) и блок регистрации (БР). БП содержит источник стабилизированного тока, подключенный к ДШ с возможностью подачи смещения в прямом направлении, а БР подключен к выходу ДШ по напряжению. ИС может быть дополнительно оснащена каналом регистрации УФИ. Технический результат - обеспечение одновременного контроля температуры и ультрафиолетового излучения, обеспечение работоспособности датчика при повышенной температуре, увеличение чувствительности. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.	2224332 патент выдан: опубликован: 20.02.2004