Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера – H01L 31/102

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, конкретно - к приемникам инфракрасного (ИК) излучения, и может найти применение в спектрометрах, в системах обнаружения, слежения, охранных и противопожарных системах и связи. Фотодиод (1) инфракрасного излучения содержит p- и n-области (2, 3, 7) с токоподводящими непрозрачными контактами (4, 5) и активную область, электрически связанную с p-n-переходом (6), при этом один или несколько контактов на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, имеют общий периметр, величину которого выбирают из интервала значений, связанных с длиной растекания тока. Контакты на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, содержат элементы с повторяющейся геометрической формой, например в виде спирали или ячеистой структуры. Активная область фотодиода выполнена из INAsSb, InAs, InGaAsSb, а слой на освещаемой стороне выполнен из INAs_1-x-y Sb_xP_y (о<х<0.2, у=(2-2.2)·х) и содержит контакты из последовательности металлических слоев Cr-Au_1-w-Zn_w-Ni-Au, причем слой из Cr примыкает к поверхности p-области, a w=0.01-0.2. Фотодиод согласно изобретению обеспечивает повышенную фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb). Фотодиод на антимониде индия содержит подложку из антимонида индия n-типа проводимости со сформированным в ней р-n переходом, защитную и пассивирующую диэлектрические пленки и контактную систему. Концентрация легирующей примеси в подложке составляет 10 ¹⁶-3·10¹⁶ см ^-3 Изобретение обеспечивает повышение предельной рабочей температуры фотодиода при сохранении его пороговых параметров, что существенно снижает требования к системе охлаждения фотодиода и решает задачу уменьшения его энергопотребления и улучшения весогабаритных характеристик. 1 табл., 3 ил.