Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов – H01L 21/82

Использование: изобретение может быть использовано в области полупроводниковой техники при изготовлении интегральных схем, полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле и их частей. Техническим результатом изобретения является изготовление полупроводниковых приборов, где в одной схеме сочетаются приборные структуры, расположенные на разных локальных подложках, т.е. совмещение на одном чипе - подложке приборных структур, особенности которых требуют их расположения на подложках с разными свойствами. Становится возможным пространственное совмещение микро- и наноприборов, которые трудно или невозможно изготовить уже объединенными. Благодаря тому, что совмещение происходит в пределах одной пластины с использованием процессов самоорганизации, достижима более высокая точность, чем при совмещении двух разных подложек. Сущность изобретения: в способе изготовления микро- и наноприборов формируют многослойную структуру, содержащую, по крайней мере, подложку, жертвенный слой и слои для изготовления приборных структур, удаляют жертвенный слой и переносят освободившуюся от связи с подложкой пленку из активных слоев на новую подложку, которая отлична по свойствам от исходной подложки, причем новую подложку изготавливают локально, на одной подложке с активными слоями и с приборными структурами, многослойную структуру формируют содержащей хотя бы один слой с внутренним упругим напряжением, после того, как удаляют жертвенный слой в заданной области, пленка из активных слоев освобождается от связи с подложкой, и под действием внутренних упругих напряжений меняет форму и перемещается на новую локальную подложку. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в конструировании и технологии теплоизмерительных приборов индикации экстремальных температурных условий функционирования объектов. Техническим результатом изобретения является повышение информативности и чувствительности целевого изделия, а также его миниатюризация. Сущность изобретения: Термоизмерительная система содержит информационную микросхему и внешнюю измерительную цепь (ВИЦ). ИМ включает основание, прикрепленные к основанию малоинерционный и инерционный термочувствительные элементы (ТЧЭ) на основе терморезисторов, смонтированных на подложке из твердого тела с возможностью измерения температуры среды и стенки контролируемого помещения соответственно, и электрические выводы для подключения ТЧЭ к ВИЦ. ВИЦ оснащена блоком сравнения и блоком индикации. Малоинерционный ТЧЭ подключен к первому входу блока сравнения, а инерционный - ко второму входу блока сравнения. В качестве подложки использован полупроводниковый материал. Во ВИЦ дополнительно установлены сумматор и первый и второй усилители-преобразователи. Малоинерционный ТЧЭ подключен к первому входу блока сравнения и к первому входу сумматора через первый усилитель-преобразователь. Инерционный ТЧЭ подключен ко второму входу блока сравнения через второй усилитель-преобразователь. Выход блока сравнения подключен ко второму входу сумматора, а выход сумматора связан с входом блока индикации непосредственно или через коммутатор. Способ изготовления ИМ предусматривает формирование терморезисторов малоинерционного и инерционного ТЧЭ на подложке из твердого тела, прикрепление ТЧЭ к основанию ИМ и присоединение к электрическим выводам подключения к ВИЦ. Терморезисторы формируют нанесением терморезиставного слоя на подложку из полупроводникового материала с последующим микропрофилированием. Выполняют металлизированные контактные площадки и их подключения к соответствующим ТЧЭ. Участок подложки по месту малоинерционного ТЧЭ удаляют или вытравливают в нем глухое отверстие, а контактные площадки присоединяют к электрическим выводам, вмонтированным в основание ИМ. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.