Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей, изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей – H01L 21/70
Патенты в данной категории
БЛОК МИКРОЭЛЕКТРОДНОЙ МАТРИЦЫ, СОДЕРЖАЩИЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ПОЛИМЕР, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов. Блок микроэлектродной матрицы изготовлен с использованием жидкокристаллического полимера и содержит микроэлектродную матрицу. Блок содержит: секцию подложки, содержащую жидкокристаллический полимер, электродную секцию, принимающую и передающую биосигналы, и секцию крышки, изолирующую и защищающую электродную секцию и содержащую жидкокристаллический полимер, причем электродная секция находится в контакте с поверхностью секции подложки, секция крышки соединена с поверхностью секции подложки, на которой расположена электродная секция, и между секцией подложки и соединенной с ней секцией крышки образуется пространство, независимое от окружающей среды. Изобретение также относится к способу изготовления блока микроэлектродной матрицы, содержащему стадии формирования установочных отверстий в секции подложки, содержащей жидкокристаллический полимер, и в секции крышки, содержащей жидкокристаллический полимер, формирование сквозных отверстий (окон) для экспонирования электродной секции в секции крышки, формирование электродной секции на одной из поверхностей секции подложки, выравнивание секции подложки и секции крышки с помощью установочных отверстий и соединение друг с другом секции подложки и секции крышки, и обрезание секции подложки и секции крышки, соединенных друг с другом, для придания внешней формы. Изобретение обеспечивает возможность стабильно и быстро изготавливать блоки микроэлектродных матриц, при этом собранные в единый блок секции могут быть использованы для получения высокоплотных многоканальных систем. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 7 ил. |
2488914 патент выдан: опубликован: 27.07.2013 |
|
ЛАМИНИРУЮЩАЯ ПЛЕНКА СО ВСТРОЕННОЙ МИКРОСХЕМОЙ
Заявленное изобретение относится к технологии получения пленок, в частности ламинирующих пленок со встроенными микросхемами, обеспечивающими защиту и/или контроль изделия в виде книги, удостоверения личности или упаковки. Пленка содержит гибкую пленку, по меньшей мере, частично прозрачную; гибкую микросхему, прикрепленную к одной из поверхностей пленки, и выравнивающий толщину слой, покрывающий, по меньшей мере, частично, пленку вокруг микросхемы. Пленку прикрепляют к изделию наклеиванием или термосвариванием по периферии. Обеспечивается высокая степень защиты изделия. 5 н. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил. |
2429975 патент выдан: опубликован: 27.09.2011 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕМБРАННЫХ СТРУКТУР
Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления дискретных и матричных мембранных структур на основе керамики, служащих основой различных сенсоров, акустических приборов и других твердотельных изделий электроники. Техническим результатом изобретения является расширение функциональности дискретных и матричных мембранных структур на основе пьезокерамики, а также повышение предельных параметров изделий электроники на их основе. Сущность изобретения: в способе изготовления мембранных структур, включающем изготовление подложки из сырой керамики, изготовление в этой подложке, по крайней мере, одного отверстия, изготовление заготовки мембраны из сырой керамики, сборку мембранной структуры путем соединения упомянутой заготовки мембраны с поверхностью подложки с отверстиями(ем) так, чтобы она покрывала отверстия, образуя мембраны в области отверстий, и последующую термообработку мембранной структуры для обжига сырой керамики, изготавливают несколько подложек с отверстиями, изготавливают не менее одной заготовки мембран, при сборке мембранной структуры соединение сырых подложек с отверстиями и заготовок мембран проводят более одного раза, сборку завершают присоединением либо очередной подложки или очередной заготовки мембраны, образуя, таким образом, либо одноуровневую мембранную структуру с заглубленной мембраной между плоскостями итоговой подложки, либо многоуровневую мембранную структуру. Предложены три варианта способа изготовления. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 14 ил. |
2422942 патент выдан: опубликован: 27.06.2011 |
|
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТОГО ОПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
Изобретение относится к области оптоэлектроники и электротехники. Сущность изобретения заключается в том, что с целью уменьшения выброса исходного материала операцию прессования в способе осуществляют с помощью центрифуги. При этом устройство для изготовления оптического модуля выполнено в виде центрифуги, состоящей из основания и четного числа рабочих камер, которые крепятся к основанию, причем рабочие камеры установлены с возможностью вращения вокруг основной с изменяемой угловой скоростью, при этом каждая рабочая камера содержит не менее двух прессующих поверхностей в виде дисков. Способ заключается в том, что прессование осуществляют в пакете из чередующихся пластин, собранных в виде цилиндра, завернутого в упругую ограничительную ленту, которая равномерно нагревается равноудаленными нагревательными элементами. Технический результат - экономия материала при сохранении качественных показателей. 2 н.п. ф-лы, 20 ил. |
2340980 патент выдан: опубликован: 10.12.2008 |
|
СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОТРУБОК
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах. В способе создания нанотрубок, заключающемся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, формируют окна, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку, жертвенный слой изготавливают из металла, на котором в качестве слоя, образующего нанотрубку, формируют слои из металлов, имеющих различные коэффициенты термического расширения и модули Юнга. В качестве подложки используют пластину из полупроводника, или из полупроводника IV группы, или из кремния. Для слоя, образующего нанотрубку, используют металлы, коэффициенты термического расширения и модули Юнга которых различаются на величину 5,910-6К-1 и 30 ГПа соответственно, а именно используют биметаллический слой из титана и золота при суммарной толщине слоем титана и золота от 12 до 100 нм. Сворачивают слой в нанотрубку диаметром от 400 нм до 20 мкм. Результатом является микроминиатюризация микроэлектромеханических устройств на кремнии, что приводит к повышению их надежности, быстродействия, чувствительности и степени интеграции. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
2238239 патент выдан: опубликован: 20.10.2004 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании структур методом обратной литографии. В предложенном способе формирования структур микроэлектроники, включающем нанесение на подложку позитивного резиста, экспонирование рисунка, проявление, нанесение дополнительного слоя материала и удаление резиста, на подложку предварительно наносят пленку материала, экспонирование резиста осуществляют дозой электронов, в 2-3 раза меньшей чувствительности электронорезиста, а после проявления сформированные в резисте элементы облучают ультрафиолетовым светом с длиной волны от 200 до 300 нм, дозой от 1,5 до 3 кДж/см2 в атмосфере воздуха или кислорода, после удаления резиста на глубину облученного слоя проявлением осуществляют травление материала пленки, полностью удаляют электронорезист обратной литографией после нанесения дополнительного слоя. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении чувствительности электронорезиста за счет дооблучения ультрафиолетовым излучением, позволяющей снизить время экспозиции электронами, а также устранении ухода размеров формируемых субмикронных элементов от заданных и устранении травления областей резиста, не модифицированных электронами, за счет использования селективности поглощения ультрафиолетового излучения. 1 табл. | 2145156 патент выдан: опубликован: 27.01.2000 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ Использование: микроэлектроника, при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: способ включает погружение одного или нескольких полупроводниковых кристаллов, размещенных на носителе - вакуумном захвате, в расплав эвтектического состава, нанесенный на нагретую подложку, охлаждение кристаллизующегося монолита и формирование коммутации. При этом эвтектический состав расплавляют в среде инертного газа и перегревают до температуры, превышающей эвтектическую точку на 10-30°С, а полупроводниковые кристаллы нагревают до температуры на 10-20°С ниже эвтектической точки, над расплавом эвтектического состава перед погружением полупроводниковых кристаллов создают замкнутый объем посредством установки на носителе - вакуумном захвате или подложке дополнительной рамки, толщина которой составляет 1,2-1,5 толщины полупроводникового кристалла, и производят удаление инертного газа, а охлаждение кристаллизующегося монолита осуществляют с темпом 10-30°С/мин. Техническим результатом изобретения является повышение качества изготовления полупроводникового модуля. 1 ил. | 2139598 патент выдан: опубликован: 10.10.1999 |
|
ЗАЩИТА ОТ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА ДАТЧИКОВ НА ИОННО- СЕЛЕКТИВНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Использование: производство микросхем, обеспечивающих защиту приборов для избирательного измерения ионов в жидкостях, от электростатических разрядов. Сущность изобретения: представлены способ, устройство и технология изготовления микросхемы, которые обеспечивают защиту от электростатического разряда (ЭСР) для основанного на ионно-селективном полевом транзисторе (ИСПТ) прибора (250), используемого для избирательного измерения ионов в жидкости (299). В соответствии с одним аспектом изобретения схема защиты от ЭСР, сделанная из обычных защитных элементов (201, 202, 206), объединена на том же кремниевом кристалле, на котором сформирован ИСПТ (250), наряду с устройством сопряжения (203), которое находится в контакте с измеряемой жидкостью (299), и которое не открывает путей для токов утечки постоянного тока между ИСПТ (250) и жидкостью (299). В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления изобретения в качестве устройства сопряжения между защитной схемой (201, 202 и 206) и образцом жидкости (299) используется структура конденсатора. Следующие аспекты изобретения направлены на способы, предназначение, по существу, для обеспечения зашиты от ЭСР ИСПТ-датчиков, использующих упомянутое выше средство сопряжения (203), например структуру конденсатора, и процессы, предназначенные для изготовления нового устройства сопряжения на кремниевой пластине. Техническим результатом изобретения является обеспечение защиты от электростатического разряда, при одновременном исключении трудностей создания металлического электрода, предназначенного для надежного низкоимпедансного контакта с жидкостью. 7 с. и 12 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2134877 патент выдан: опубликован: 20.08.1999 |
|
МНОГОСЛОЙНАЯ КОММУТАЦИОННАЯ ПЛАТА (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано в производстве многослойных печатных плат, а также коммутационных структур для многокристальных модулей. Многослойная коммутационная структура содержит слои из диэлектрическою материала с токоведущими дорожками на их поверхностях, представляющие собой коммутационные слои, контактные узлы в виде металлизированных контактов, совмещенных друг с другом и соединенных между собой электрически и механически электропроводящим материалом, при этом контактные узлы выполнены в виде стыков между контактами. Второй вариант выполнения многослойной коммутационной платы характеризуется тем, что в ней токоведущие дорожки расположены на обеих сторонах каждого коммутационного слоя и в пределах каждого слоя связаны между собой переходными металлизированными отверстиями. Изобретение позволяет увеличить удельную плотность разводки при снижении сложности трудоемкости, себестоимости. 2 c. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2133081 патент выдан: опубликован: 10.07.1999 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРА ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Изобретение относится к технологии изготовления накопительных конденсаторов в элементах памяти интегральных схем. Его использование позволяет повысить выход годных интегральных схем и их качество за счет снижения дефектности. Способ включает нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с диэлектрическим слоем и с контактным окном первого проводящего слоя, формирование в нем части первой обкладки конденсатора, осаждение разделительного изолирующего слоя, нанесение фоторезистивной маски с рисунком контактного окна, вскрытие контактного окна, удаление фоторезистивной маски, нанесение второго проводящего слоя, контактирующего с первым через контактное окно, формирование в нем другой части первой обкладки конденсатора, селективное удаление разделительного изолирующего слоя, формирование конденсаторного диэлектрика, нанесение третьего проводящего слоя, создание в нем второй обкладки конденсатора. Технический результат достигается благодаря тому, что разделительный изолирующий слой осаждают после нанесения первого проводящего слоя, наносят второй проводящий слой и дополнительный разделительный изолирующий слой, наносят фоторезистивную маску и вскрывают самосовмещенное окно для соединения проводящих слоев и одновременно формируют части первой обкладки конденсатора в нижележащих проводящих слоях, удаляют фоторезистивную маску, наносят соединительный проводящий слой, фотолитографией формируют рисунок дополнительной поверхности первой обкладки, селективно удаляют разделительные изолирующие слои, а конденсаторный диэлектрик формируют на обнажившейся поверхности и дополнительном проводящем слое. 1 з.п.ф-лы, 5 ил., 1 табл. | 2110870 патент выдан: опубликован: 10.05.1998 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОИНТЕГРИРОВАННОЙ ГИБРИДНОЙ МИКРОСХЕМЫ Использование: в производстве микроэлектронной аппаратуры. Сущность: в подложке из нитрида алюминия толщиной 100 мкм формируют углубления со ступенчатой поверхностью. Лазерным облучением формируют монтажные контакты в объеме и проводящие дорожки на поверхности, при этом формирование монтажных контактов осуществляют одновременным воздействием лазерного излучения с двух сторон подложки в течение 0,5-1,0 секунд. 4 ил. | 2065641 патент выдан: опубликован: 20.08.1996 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЕРЕГРУЗКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства изделий микроэлектроники и может быть использовано на различных финишных опрерациях сборки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС), таких как маркировка, измерение электрических параметров, контроль внешнего вида, упаковка и других, на которых применяют многократную перегрузку изделий, размещенных в гнездах плоских многорядных кассет. Устройство для перегрузки изделий, содержащее основание 1, неподвижную рейку 2, взаимодействующую с зубчатым венцом 3, первый поворотный вал 4, с которым жестко связан зубчатый венец 3, дополнительно содержит снабженную роликом 5 вертикальную каретку 6 в направляющих 7, на которой шарнирно размещен кинематически связанный с первым второй поворотный вал 8 с зафиксированным на его торце фланцем 10, снабженным двумя диаметрально расположенными выступами-фиксаторами 11, причем на фланце 10 размещены соосная второму поворотному валу 8 пластина 13 со сквозными отверстиями 14 по форме изделий, два подпружиненных пружиной 19 навстречу друг другу и снабженных роликами 20 ползуны 17, на каждом из которых зафиксированы кронштейн 21 с С-образным захватом 22 и расположенная перпендикулярно ползунам 17, снабженная диаметрально расположенными роликами 28 поперечная каретка 23, на которой зафиксирован линейный кулачок 25, взаимодействующий с роликами 20 подпружиненных ползунов 17, а под первым 4 и вторым 8 поворотными валами размещен кулачковый вал 29 с кулачковыми 30 и 31, причем кулачок 30 взаимодействует с роликом 5 вертикальной каретки 6, а кулачок 31 взаимодействует с роликами 28 поперечной каретки 23, кроме того первый 4 и второй 8 поворотные валы кинематичски связаны между собой посредством храповой муфты 32, обойма 33 которой зафиксирована на первом 4 поворотном валу, а двузубовое храповое колесо 35 зафиксировано на втором 8 поворотном валу, а поворотные валы 4 и 8 выполнены соосными. 1 з.п. ф-лы, 12 ил. | 2028698 патент выдан: опубликован: 09.02.1995 |
|