Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей, изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей – H01L 21/70

Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов. Блок микроэлектродной матрицы изготовлен с использованием жидкокристаллического полимера и содержит микроэлектродную матрицу. Блок содержит: секцию подложки, содержащую жидкокристаллический полимер, электродную секцию, принимающую и передающую биосигналы, и секцию крышки, изолирующую и защищающую электродную секцию и содержащую жидкокристаллический полимер, причем электродная секция находится в контакте с поверхностью секции подложки, секция крышки соединена с поверхностью секции подложки, на которой расположена электродная секция, и между секцией подложки и соединенной с ней секцией крышки образуется пространство, независимое от окружающей среды. Изобретение также относится к способу изготовления блока микроэлектродной матрицы, содержащему стадии формирования установочных отверстий в секции подложки, содержащей жидкокристаллический полимер, и в секции крышки, содержащей жидкокристаллический полимер, формирование сквозных отверстий (окон) для экспонирования электродной секции в секции крышки, формирование электродной секции на одной из поверхностей секции подложки, выравнивание секции подложки и секции крышки с помощью установочных отверстий и соединение друг с другом секции подложки и секции крышки, и обрезание секции подложки и секции крышки, соединенных друг с другом, для придания внешней формы. Изобретение обеспечивает возможность стабильно и быстро изготавливать блоки микроэлектродных матриц, при этом собранные в единый блок секции могут быть использованы для получения высокоплотных многоканальных систем. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 7 ил.

Заявленное изобретение относится к технологии получения пленок, в частности ламинирующих пленок со встроенными микросхемами, обеспечивающими защиту и/или контроль изделия в виде книги, удостоверения личности или упаковки. Пленка содержит гибкую пленку, по меньшей мере, частично прозрачную; гибкую микросхему, прикрепленную к одной из поверхностей пленки, и выравнивающий толщину слой, покрывающий, по меньшей мере, частично, пленку вокруг микросхемы. Пленку прикрепляют к изделию наклеиванием или термосвариванием по периферии. Обеспечивается высокая степень защиты изделия. 5 н. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления дискретных и матричных мембранных структур на основе керамики, служащих основой различных сенсоров, акустических приборов и других твердотельных изделий электроники. Техническим результатом изобретения является расширение функциональности дискретных и матричных мембранных структур на основе пьезокерамики, а также повышение предельных параметров изделий электроники на их основе. Сущность изобретения: в способе изготовления мембранных структур, включающем изготовление подложки из сырой керамики, изготовление в этой подложке, по крайней мере, одного отверстия, изготовление заготовки мембраны из сырой керамики, сборку мембранной структуры путем соединения упомянутой заготовки мембраны с поверхностью подложки с отверстиями(ем) так, чтобы она покрывала отверстия, образуя мембраны в области отверстий, и последующую термообработку мембранной структуры для обжига сырой керамики, изготавливают несколько подложек с отверстиями, изготавливают не менее одной заготовки мембран, при сборке мембранной структуры соединение сырых подложек с отверстиями и заготовок мембран проводят более одного раза, сборку завершают присоединением либо очередной подложки или очередной заготовки мембраны, образуя, таким образом, либо одноуровневую мембранную структуру с заглубленной мембраной между плоскостями итоговой подложки, либо многоуровневую мембранную структуру. Предложены три варианта способа изготовления. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и электротехники. Сущность изобретения заключается в том, что с целью уменьшения выброса исходного материала операцию прессования в способе осуществляют с помощью центрифуги. При этом устройство для изготовления оптического модуля выполнено в виде центрифуги, состоящей из основания и четного числа рабочих камер, которые крепятся к основанию, причем рабочие камеры установлены с возможностью вращения вокруг основной с изменяемой угловой скоростью, при этом каждая рабочая камера содержит не менее двух прессующих поверхностей в виде дисков. Способ заключается в том, что прессование осуществляют в пакете из чередующихся пластин, собранных в виде цилиндра, завернутого в упругую ограничительную ленту, которая равномерно нагревается равноудаленными нагревательными элементами. Технический результат - экономия материала при сохранении качественных показателей. 2 н.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах. В способе создания нанотрубок, заключающемся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, формируют окна, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку, жертвенный слой изготавливают из металла, на котором в качестве слоя, образующего нанотрубку, формируют слои из металлов, имеющих различные коэффициенты термического расширения и модули Юнга. В качестве подложки используют пластину из полупроводника, или из полупроводника IV группы, или из кремния. Для слоя, образующего нанотрубку, используют металлы, коэффициенты термического расширения и модули Юнга которых различаются на величину 5,910^-6К^-1 и 30 ГПа соответственно, а именно используют биметаллический слой из титана и золота при суммарной толщине слоем титана и золота от 12 до 100 нм. Сворачивают слой в нанотрубку диаметром от 400 нм до 20 мкм. Результатом является микроминиатюризация микроэлектромеханических устройств на кремнии, что приводит к повышению их надежности, быстродействия, чувствительности и степени интеграции. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.