Элементы конструкции электронно-лучевых трубок, отнесенных к группе ,31/00: ...действующие как световые модуляторы с помощью управления заслонкой, например для эйдофора – H01J 29/12
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
H01J 29/12 ...действующие как световые модуляторы с помощью управления заслонкой, например для эйдофора
Патенты в данной категории
| МОДУЛЯТОР СВЕТОКЛАПАННОЙ СИСТЕМЫ ОТРАЖАТЕЛЬНОГО ТИПА Изобретения относятся к светоклапанным системам и могут быть использованы в проекционных дисплеях. Техническим результатом является повышение чувствительности и упрощение устройств. Представлен модулятор светоклапанной системы для работы в режиме отражения, который имеет многослойную композицию, управляемую в электростатическом режиме, включающую прозрачную подложку, первый прозрачный и второй изолирующий диэлектрический деформируемые слои, зеркальный слой и третий диэлектрический изолирующий слой. Модулятор входит в состав воспроизводящей трубки деформируемой светоклапанной системы, имеющей оболочку с прозрачным дном. Воспроизводящая трубка используется в проекционных телевизионных системах, содержащих оптическую шлирен-систему и экран. 4 с. и 21 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2143127 патент выдан: опубликован: 20.12.1999 |
|
| МИШЕНЬ СВЕТОКЛАПАННОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ Использование: в светоклапанных электронно-лучевых трубках (СЭЛТ). Сущность изобретения: мишень СЭЛТ содержит подложку из фтористого кальция и активный элемент (АЭ) из сегнетоэлектрического монокристалла. На одну сторону АЭ, которой он прикреплен к подложке, нанесено прозрачное электропроводящее покрытие, а на другую - диэлектрическое зеркало и вторично-эмиссионный слой. АЭ мишени выполнен из материалов с различными температурами Кюри (ТК), причем ТК материала центральной зоны должна быть выше, чем периферийной. АЭ может быть выполнен из водорастворимого монокристалла группы КДР с различной степенью дейтерирования центральной и периферийной зон. Степень дейтерирования материала центральной зоны должна быть выше, чем периферийной. 1 з.п.ф-лы. | 2024103 патент выдан: опубликован: 30.11.1994 |
|