Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой: ..в растворах или расплавах – C30B 33/10

Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО ₂-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает глубокую шлифовку микропорошками окиси алюминия и глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли с температурой размягчения 50-80°С, химически активного компонента, в качестве которого используют азотную или хлорную кислоты или их смесь с концентрацией 0,5-5 М и смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ). Полировку ведут при давлении 25-500 г/см ². Способ позволяет получить поверхность селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты поверхности по ГОСТ 11141-84 с отклонением от плоскости не более одного интерференционного кольца с местной ошибкой не более 0,1 интерференционного кольца. Скорость съема материала при упомянутых условиях обработки составляет (4-11)·10 ^-3 г/ч·см². 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. Способ включает химико-динамическую полировку поверхности подложки в полирующем травителе, содержащем серную кислоту, перекись водорода и воду в течение 8÷10 мин, снятие слоя естественного оксида в водном растворе соляной кислоты до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки, промывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге. После сушки подложку обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием слоя селенида галлия при температуре подложки - Т_п=(310-350)°С, температуре стенок камеры - Т_с=(230-250)°С, температуре селена - T_Se=(280-300)°C в течение 3÷10 мин, после чего подложку снова помещают на 10÷15 мин в водный раствор соляной кислоты для стравливания слоя селенида галлия. Изобретение позволяет получить атомно-гладкую поверхность арсенида галлия с масштабом неоднородности порядка 3Å, что дает возможность использовать данные подложки для конструирования нанообъектов с помощью эффектов самоорганизации. 4 ил.

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН₃) ₃CNH₃ в этаноле C ₂H₅OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Preparation of bulk oriented samples silver bromide and silver chloride single crystals. «Kristall und Technik», 10(3), 1975, 259-262, STN БД СА, AN 82:132176, abstract. РЕГЕЛЬ В.Р. и др. Выявление выходов дислокаций на поверхность кристалла методом травления. Обзор. «Кристаллография», т.4, вып.6, с.941.