Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы: ..способы получения "сэндвичевых" слоев – C30B 25/22

МПКРаздел CC30C30BC30B 25/00C30B 25/22
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
C30B 25/22 ..способы получения "сэндвичевых" слоев

Патенты в данной категории

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК С ГЕТЕРОГЕННОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК С ГЕТЕРОГЕННОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА

Изобретение относится к области материаловедения и может быть использовано в технологии изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, в частности для нанесения многослойных нанокристаллических тонких пленок этих материалов химическим способом. Способ заключается в приготовлении раствора смеси солей металлов, аэрозольном нанесении упомянутого раствора на поверхность подложки в потоке газа-носителя, удаления растворителя из раствора смеси солей металлов и формировании на поверхности подложки многослойных нанокристаллических пленок металлов в результате термического разложения солей металлов, при этом поверхность подложки предварительно нагревают, из раствора смеси солей металлов формируют аэрозольный туман, который переносят и осаждают на поверхность подложки потоком кислородсодержащего газа-носителя, давление газа-носителя поддерживают выше атмосферного, формируют гетерогенную границу раздела путем нанесения на сформированный нанокристаллический слой нанокристаллического слоя другого химического состава, отличающегося от предыдущего. Технический результат изобретения заключается в возможности получения многослойных периодически чередующихся нанокристаллических пленок разного фазового состава с возможностью осуществления контроля за толщиной пленок и за дисперсностью зерен. Изобретение позволяет существенно увеличить производительность получения таких многослойно чередующихся нанокристаллических пленок, сократить время их получения, уменьшить трудоемкость процесса, а также упростить устройство, реализующее заявленный способ. Фактически заявлена новая технология изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов с использованием нанокристаллических пленок с высокой адгезией и с разным фазовым составом. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл.

2436876
патент выдан:
опубликован: 20.12.2011
Наверх