Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .перемешивание расплавленной зоны – C30B 13/26

МПКРаздел CC30C30BC30B 13/00C30B 13/26
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/26 .перемешивание расплавленной зоны

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Сущность изобретения заключается в том, что в процессе получения монокристаллов бестигельной зонной плавкой создают расплавленную зону путем индукционного нагрева монокристалла, осуществляют электромагнитное перемешивание расплава и дополнительно монокристалл подвергают действию УЗ-колебаний с частотой 18-20 кГц и интенсивностью 0,3-0,6 Вт/см2. Изобретение позволяет увеличить однородность распределения примесей по сечению монокристалла и тем самым увеличить выход годных приборов.

2257428
патент выдан:
опубликован: 27.07.2005
Наверх