способ очистки кварцевой трубы

Классы МПК:H01L21/306 обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2013-01-09
публикация патента:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры, длительности обработки кварцевых труб и снижение стоимости процесса. В способе очистки кварцевой трубы удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора в состав, которого входят бифторид аммония - NH4HF2 и деионизованная вода - H 2O в соотношении 1:5 при комнатной температуре. Длительность процесса равна 20±7 минут. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.

Формула изобретения

Способ очистки кварцевой трубы, включающий обработку трубы в растворе, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, отличающийся тем, что обработку проводят в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов NH4HF2:H2O=1:5 при комнатной температуре в течение 20±7 минут, затем кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Известны способы обработки изделий из кварца. Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей с кварцевой трубы после ряда диффузионных операций (диффузия бора, диффузия фосфора) [1, 2].

Известен способ очистки кварцевой трубы, сущность которого заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе состоящей из фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (H2O) при комнатной температуре [3].

Недостатками этого способа являются длительность процесса и использование такого агрессивного вещества, как плавиковая кислота.

Целью изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры, длительности обработки кварцевых труб и удешевление процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора в состав, которого входят бифторид аммония - NH4HF2 и деионизованная вода - Н2О в соотношении 1:5. Длительность обработки составляет 20±7 минут. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 20±5 минут.

Сущность способа заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе состоящего из бифторида аммония и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Длительность процесса равна 20±7 минутам. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 25 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 23 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4 HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 20 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20 минут.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 15 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 18 минут.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кварцевой трубы и качество обработки кварцевых труб, не требует больших затрат.

Литература

1. А.И.Курносов Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа. 1980. 272-273.

2. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь. - 1988. Стр.48-50.

3. Патент № 2366032, Н01L 21/306, 27.08.2009.

Класс H01L21/306 обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

устройство химико-динамического травления германиевых подложек -  патент 2520955 (27.06.2014)
способ и устройство отмывки и сушки подложек -  патент 2510098 (20.03.2014)
способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин -  патент 2507630 (20.02.2014)
способ очистки поверхности полупроводниковых пластин -  патент 2495512 (10.10.2013)
способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия -  патент 2494493 (27.09.2013)
способ формирования полости в подложке из арсенида галлия -  патент 2488189 (20.07.2013)
способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель -  патент 2485628 (20.06.2013)
способ изготовления универсальных датчиков состава газа -  патент 2449412 (27.04.2012)
кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин -  патент 2432638 (27.10.2011)
способ травления материала на основе кремния с образованием кремниевых столбиков и перезаряжаемый литиевый аккумулятор с анодом, выполненным из материала, травленного этим способом -  патент 2429553 (20.09.2011)
Наверх