способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия
Классы МПК: | H01L21/316 из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов |
Автор(ы): | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU), Шангереева Бийке Алиевна (RU) |
Патентообладатель(и): | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2013-01-09 публикация патента:
27.11.2014 |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется на основе пленки окиси алюминия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1050°С, температура кристалла равна 850°С. Окись алюминия используют в виде порошка, в качестве несущего агента используют галоген НВr. Через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси алюминия и кристалла 15 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси алюминия =0,9±0,1 мкм.
Формула изобретения
Способ защиты поверхности кристаллов р-n-переходов на основе алюминия, включающий защиту поверхности р-n-переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи на основе окиси алюминия в виде порошка при температуре 1050°С, температура кристалла 850°С, а в качестве несущего агента служит галоген НВr, расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом равно 15 см, при этом толщина пленки окиси алюминия =0,9±0,1 мкм.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов.
Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоит в том, что поверхность р-п-переходов защищают различными пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др.[1].
Основными недостатками этих способов является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси алюминия.
Сущность способа заключается в том, что защита поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется на основе пленки окиси алюминия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1050°С, а температура кристалла 850°С. Окись алюминия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген НВr.
Поставленная цель достигается тем, что через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом. Причем с увеличением температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом скорость реакции повышается. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 15 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси алюминия =0,9±0,1 мкм.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1: Процесс защиты поверхности полупроводниковых кристаллов окиси алюминия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны - 900°С, температура полупроводникового кристалла 850°С. Затем источник окись алюминия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Через кварцевую трубу пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом, при этом расстояние равно 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси алюминия медленно выдвигают из печи.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси алюминия =0,6±0,1 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 950°С.
Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристалла 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =0,7±0,1 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 1000°С.
Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =0,8±0,1 мкм.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 1050°С.
Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 15 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =0,9±0,1 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности р-п-переходов алюминия в виде порошка окиси алюминия, при температуре 1050°С и при этом достигается равномерность поверхности.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. -М.: «Высшая школа». 1980. 327 с.
Класс H01L21/316 из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов