накопитель на микросхемах памяти

Классы МПК:G11C11/02 с использованием магнитных элементов 
Патентообладатель(и):Косарев Алексей Алексеевич (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2012-06-28
публикация патента:

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании накопителя только на магнетиках. Накопитель на микросхемах с прямоугольной петлей гистерезиса с электроникой полноточных магнитных элементов, с электрической перезаписью, причем память имеет практически неограниченную частоту считывания, и полностью магнитным исполнением. 3 ил., 7 табл. накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

Формула изобретения

Накопитель на микросхемах с прямоугольной петлей гистерезиса, с электроникой полноточных магнитных элементов, с электрической перезаписью, отличающийся тем, что память имеет практически неограниченную частоту считывания, и полностью магнитным исполнением.

Описание изобретения к патенту

1. Цель работы

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.

Постоянные запоминающие устройства - накопители (ПЗУ) являются необходимым устройством для построения ЭВМ, особенно для схем управления.

Возможность электрической перезаписи снимает необходимость ручной или автоматической коммутации.

Целью данной работы является создание накопителя только на магнетиках и тем самым пополнение приборной базы магнитной цифровой техники.

2. Уровень техники

Известно очень большое число видов накопителей: электрических, световых, магнитных и других.

Некоторые магнитные накопители сделаны на магнитных сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса, но во всех этих устройствах, кроме магнетиков, существенно используются транзисторы и диоды.

В данном изобретении, кроме микросхемы памяти на магнетиках, используется полноточный магнитный элемент (ПМЭ)3, т.е. все устройства являются магнитными и могут естественно включаться, например, в магнитный компьютер.

3. Раскрытие изобретения

На рис.2 показана микросхема памяти. Она состоит из 3-х магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса, соединенных короткозамкнутой цепью и прошитых шинами.

В таблице 4 показаны потоки магнитной индукции сердечников в состояниях микросхемы «0» и «1».

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

Накопительная часть представляет собой прямоугольник, заполненный микросхемами.

Число строк показывает длину числа. Число столбцов - количество запоминаемых кодов, умноженных на число в столбце.

Вдоль верхней и левой боковой граней накопительного блока расположены (ПМЭ) 3.

Их выходы подключены ко всем шинам, кроме выходных.

В работе используются физические величины:

- поток магнитной индукции(ПМИ),

- изменения ПМИ (ИПМИ),

- токи и ампер-витки (Ав).

Все физические величины безразмерны.

Единицы физических величин произвольны

3.1. Полноточный магнитный элемент (ПМЭ)3.

На рис.1а представлены внутренние цепи (ПМЭ)3, на рис.16 изображены шины установки и считывания, входные и выходные шины.

В таблицах 1, 2 и 3 показан (ПМЭ)3 в состояниях «0» и «1», ИПМИ при считывании и состояния после считывания («0р» и «1р» соответственно).

По рис.1а и таблицам 1 и 2 можно проверить, что алгебраические суммы ПМИ в каждой внутренней цепи не меняются при изменении состояний прибора «0 и «1».

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

Найдем токи в (ПМЭ)3 при считывании «0» (1).

Амплитуду тока считывания устанавливаем равной 1.

В левой части равенства показаны Ав, действующие на сердечник (показан слева).

В правой части дано значение Ав, достаточное для полного перемагничивания сердечника за время накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 T.

накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576

Из соотношений (1) находим: n=1-k, m2=1-2k, v=1-3k, с2=2-6k, z2=C2-m2-k, т.е. Z2=l-6k.

Входная мощность равна 2(2×е).

Выходная мощность равна 2-12k (2×z2 ).

Потеря мощности при считывании происходит в шести сердечниках и накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 .

Если (ПМЭ)3 нагружен на 12 сердечников (ИПМИ которых равно 2), то из соотношения z2 =1-6k-24k находим, что накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 , т.е. в пять раз меньше, чем у ненагруженного (ПМЭ) 3.

Считывание «1» совершенно аналогично; можно ограничиться заменой индексов.

При считывании «О» не перемагничиваются (C1) и (N1 ).

(C1) (m2-c2 ), т.е. ПМИ удерживается в «0» Ав (-1+4k).

(N1) (-n-m2+c2) Ав равны - 3k.

Такие же значения при Ав и при считывании «1» для (С2) и (N2).

3.2. Накопитель на микросхемах памяти

3.2.1. Запись числа

Если проводится запись числа с адресом накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 , то элемент (ПМЭ)3 выдает импульс тока в выбранный столбец в I такте (накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 ), все микросхемы в столбце принимают состояние «0».

Во II такте по всем шинам в, кроме в=l, идет ток запрета, а по шинам g идет импульс предварительной записи, если в соответствующем разряде числа записана 1.

При предварительной записи в микросхемах столбца l перемагничиваются сердечники А и С.

В III такте (ПМЭ)3 выдает импульс тока в шину cнакопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 . Сердечник А устанавливается в «0» и на С и В возникают ПМИ, равные 1.

3.2.2. Считывание числа со столбца

Считывание по шине dнакопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 проводится сильными очень короткими разнополярными импульсами.

Амплитуда выходного сигнала на (С) накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 равна накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 , амплитуда сигнала на (B)накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 равна накопитель на микросхемах памяти, патент № 2531576 .

Их сумма по цепи z передается на магнитные усилители.

В режиме считывания накопитель может выдавать информацию неограниченное время с практически неограниченной частотой. Поэтому ограничение быстродействия накопителя на микросхемах памяти ограничивается его электроникой.

Наверх