Поиск патентов
ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ

пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием

Классы МПК:C08J5/18 изготовление пленок или листов
C08G61/02 содержащие только атомы углерода в основной цепи макромолекулы, например поликсилилены
H01L21/76 получение изоляционных областей между компонентами
H01L49/02 тонкопленочные или толстопленочные приборы
Автор(ы):, , , , , ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно- исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова" (RU),
ХИТАЧИ, ЛТД. (JP)
Приоритеты:
подача заявки:
2001-07-27
публикация патента:

Изобретение относится к получению пористых пленок из полипараксилилена и его замещенных, имеющим низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость, и полупроводниковому прибору, в котором эта пленка используется в качестве изолирующего слоя. Пористые пленки получают сублимацией циклического димера параксилилена или его замещенных при 30-160oС до образования газообразного димера с последующим пиролизом полученного сублимата от более 800oС до 950oС при скорости потока циклического димера из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,009 г/мин и конденсацией с одновременной полимеризацией на подложке полученного параксилилена или его замещенных при (-40oС)-(+25oС) в зоне полимеризации. Процесс проводят при давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. с последующей термообработкой полученного полипараксилилена или его замещенных путем ступенчатого нагрева при температуре 200 - 400oС с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт. ст. или в инертной атмосфере. Полученная пористая пленка содержит 10-50 об.% пор и используется в полупроводниковом приборе. Прибор выполняют из полупроводникового элемента, на поверхности которого формируют слоями тонкую металлическую пленку разводки первого слоя, изолирующую пористую пленку из полипараксилилена или его замещенных, пленку окиси кремния и металлическую пленку разводки второго слоя, электрически соединенную с пленкой разводки первого слоя через сквозные отверстия. Вариант выполнения полупроводникового прибора предусматривает формирование слоев, образующих многослойную разводку на подложке. Изобретение позволяет получить пористые пленки с низкой диэлектрической константой и высокой термостойкостью. 4 с. и 5 з.п.ф-лы, 3 ил.

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ получения пористых пленок из полипараксилилена или его замещенных, заключающийся в том, что осуществляют сублимацию циклического димера параксилилена или его замещенных при 30-160пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С до образования газообразного циклического димера, пиролиз полученного сублимата от более 800пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С до 950пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С при скорости потока циклического димера параксилилена или его замещенных из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,009 г/мин, конденсацию с одновременной полимеризацией на подложке полученного параксилилена или его замещенных при (-40пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С)-(+25пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С) в зоне полимеризации, причем процесс проводят при давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. с последующей термообработкой полученного полипараксилилена или его замещенных путем ступенчатого нагрева при температуре от 200 до 400пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт. ст. или в инертной атмосфере.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку осуществляют путем нагрева пленки из полипараксилилена или его замещенных на первой стадии до 200пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С со скоростью не более 4пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365 С/мин, выдержки на второй стадии при 200пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С не менее 35 мин, нагрева на третьей стадии до 380пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С со скоростью не более 0,5пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365 С/мин, выдержки на четвертой стадии при 380пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С не менее 70 мин, нагрева на пятой стадии до 400пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С со скоростью не более 0,5пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С/мин и выдержки на шестой стадии при 400пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных,   способ ее получения и полупроводниковый прибор с её   использованием, патент № 2218365С не менее 70 мин.

3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что полипараксилилен или его замещенные извлекают из зоны полимеризации после завершения полимеризации и затем подвергают термообработке.

4. Пленка из полипараксилилена или его замещенных, имеющая пористую структуру с содержанием пор в количестве от 10 до 50 об.%, полученная способом по пп.1-3.

5. Полупроводниковый прибор, выполненный из полупроводникового элемента, на поверхности которого формируют слоями тонкую металлическую пленку разводки первого слоя, изолирующую пористую пленку из полипараксилилена или его замещенных по п.4, полученную способом по пп.1-3, пленку окиси кремния и металлическую пленку разводки второго слоя, электрически соединенную с пленкой разводки первого слоя через сквозные отверстия.

6. Полупроводниковый прибор по п.5, отличающийся тем, что изолирующая пленка полипараксилилена или его замещенных имеет пористую структуру с содержанием пор в количестве от 25 до 50 об. %.

7. Полупроводниковый прибор по пп.5 и 6, отличающийся тем, что изолирующая пленка является пленкой из фторированного полипараксилилена.

8. Полупроводниковый прибор, выполненный из подложки и многослойной разводки, в котором слои разводки состоят из проводящей цепи и сформированной на ней изолирующей пористой пленки из полипараксилилена или его замещенных по п.4, полученной способом по пп.1-3, слои разводки формируют один под другим так, чтобы по крайней мере один слой разводки находился на поверхности подложки.

9. Полупроводниковый прибор по п.8, отличающийся тем, что подложка выполнена из пористой пленки на основе полипараксилилена или его замещенных по п.4, полученного способом по пп.1-3.

Патентный поиск по классам МПК-8:

Класс C08J5/18 изготовление пленок или листов

Патенты РФ в классе C08J5/18:
прозрачные пленки -  патент 2528728 (20.09.2014)
фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером -  патент 2528397 (20.09.2014)
водорастворимая биодеградируемая съедобная упаковочная пленка -  патент 2525926 (20.08.2014)
полиэтиленовая пленка с высокой прочностью на растяжение и высокой энергией разрыва при растяжении -  патент 2524948 (10.08.2014)
слоистый материал для многослойного стекла и межслойная пленка для многослойного стекла -  патент 2523814 (27.07.2014)
способ получения трудногорючих полимерных изделий на основе полиэтилентерефталата с биоцидными свойствами -  патент 2522634 (20.07.2014)
ориентированная в машинном направлении пленка для этикеток -  патент 2522454 (10.07.2014)
микроперфорированная полимерная пленка и способы ее изготовления и применения -  патент 2522441 (10.07.2014)
композиция для получения гидрофобных огне- и водостойких пленок на основе поливинилового спирта (варианты) -  патент 2520489 (27.06.2014)
технологическая добавка для термопластичных полиуретанов -  патент 2520441 (27.06.2014)

Класс C08G61/02 содержащие только атомы углерода в основной цепи макромолекулы, например поликсилилены

Патенты РФ в классе C08G61/02:
нанокомпозиционный полимерный материал и способ его получения -  патент 2523548 (20.07.2014)
способ получения поли[(r)карбинов] (r=h, алкил, арил) -  патент 2466150 (10.11.2012)
способ получения композиционного градиентного тонкопленочного материала и материал на основе полипараксилилена -  патент 2461576 (20.09.2012)
способ получения пленок полипараксилилена и его производных -  патент 2461429 (20.09.2012)
новые материалы для покрытий офсетных печатных форм, офсетные печатные формы и покрытия, содержащие эти материалы, способы получения и применение -  патент 2443683 (27.02.2012)
изделия с покрытием -  патент 2413746 (10.03.2011)
способ получения жидкокристаллической полимерной пленки -  патент 2317313 (20.02.2008)
способ получения пористой пленки из поли (, , ', '-тетрафторпараксилилена) и пористая пленка -  патент 2268900 (27.01.2006)
способ получения полимерных материалов, содержащих частицы металлов и их оксидов нанометрового размера -  патент 2266920 (27.12.2005)
пленка из поли ( ,,,- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием -  патент 2218364 (10.12.2003)

Класс H01L21/76 получение изоляционных областей между компонентами

Патенты РФ в классе H01L21/76:
способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора -  патент 2528574 (20.09.2014)
способ изготовления структуры кремния на изоляторе -  патент 2412504 (20.02.2011)
способ формирования полупроводниковых структур -  патент 2393585 (27.06.2010)
способ формирования полной диэлектрической изоляции элементов в полупроводнике -  патент 2373604 (20.11.2009)
способ изготовления полупроводникового прибора -  патент 2302055 (27.06.2007)
способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) -  патент 2260874 (20.09.2005)
способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) -  патент 2248069 (10.03.2005)
способ изготовления кремниевых пленок -  патент 2240630 (20.11.2004)
пленка из поли ( ,,,- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием -  патент 2218364 (10.12.2003)
способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов -  патент 2207659 (27.06.2003)

Класс H01L49/02 тонкопленочные или толстопленочные приборы


Наверх