термоэлектрогенератор
Классы МПК: | H01L35/18 содержащих мышьяк, сурьму или висмут |
Автор(ы): | Никольский Ю.А. |
Патентообладатель(и): | Никольский Юрий Анатольевич |
Приоритеты: |
подача заявки:
2000-08-24 публикация патента:
27.07.2002 |
Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.
Формула изобретения
Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO2-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1]. Сущность изобретенияТермоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов. Сведения, подтверждающие возможность изобретения
Гетероструктуру n-InSb-SiO2-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К. Источник изобретения
1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.
Класс H01L35/18 содержащих мышьяк, сурьму или висмут