устройство для выращивания монокристаллов

Классы МПК:C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"
Приоритеты:
подача заявки:
1994-06-10
публикация патента:

Устройство для выращивания монокристаллов, включающее камеру роста, тигель для расплава, расположенный в полости нагревателя и, средство подачи исходного материала в тигель в виде установленных в герметичном корпусе с загрузочным люком поворотного контейнера, питателя и вакуумного шибера, отличающееся тем, что корпус выполнен из двух камер, в одной из которых расположен поворотный контейнер, а в другой - питатель, и снабжен установленным между камерами бункером - накопителем с датчиком уровня материала, а вакуумный шибер закреплен в верхней части бункера.

Описание изобретения к патенту

Класс C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута -  патент 2485218 (20.06.2013)
способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида индия -  патент 2482228 (20.05.2013)
способ получения монокристалла оксида цинка -  патент 2474625 (10.02.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения монокристалла -  патент 2418108 (10.05.2011)
способ выращивания монокристаллов с заданным распределением примесей по его длине -  патент 2402646 (27.10.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
устройство для выращивания слоев кремния на углеродной подложке -  патент 2365684 (27.08.2009)
Наверх