лазерное вещество

Классы МПК:C30B29/32 титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы
C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Бурятский институт естественных наук СО РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1992-06-05
публикация патента:

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона. Для повышения угловой направленности генерируемого излучения лазерное вещество, включающее оксиды лития, бария, лантана или гадолиния или иттрия, или лютеция и неодима и триоксид молибдена, содержит указанные оксиды при следующем соотношении компонентов: мас. %: Li2 6,25-6,62; BaO 8,68-9,17; In2O3 6,47-10,95; Nd2O3 0,31-0,73; MoO3 - остальное. Использование предлагаемого лазерного вещества позволит увеличить энергию генерируемого излучения в 1,5-2,0 раза по сравнению с лазерным материалом по прототипу.1табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

Лазерное вещество, включающее оксиды бария ВаO, лантана La2O3 или гадолиния Gd2O3 или иттрия Y2O3 или лютеция Lu2O3, неодима Nd2O3 и триоксид молибдена MoO3, отличающееся тем, что в него дополнительно введен оксид лития Li2O при следующем соотношении компонентов, мас.

Li2О 6,25-6,62

ВаО 8,68-9,17

Lu2O3 6,47-10,95

Nd2O3 0,31-0,73

MoO3 Остальное

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к материалам квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона.

Цель изобретения повышение угловой направленности генерируемого излучения.

Поставленная цель достигается тем, что лазерное вещество состоит из тройного молибдата Li3Ba2Ln3(МоO4)8, Ln-La, Gd, Y, Lu, легированного ионами Nd3+. Вещество имеет формулу: Li3Ba2Ln3-xNdx(MoO4)8, 0,06 лазерное вещество, патент № 2066352 x лазерное вещество, патент № 2066352 0,15. Угловая направленность генерируемого излучения лазерного вещества Li3Ba2Ln3-xNdx (MoO4)8 составила 8,3"-8,5" на уровне 0,5.

Cодержание ионов Nd3+ от 0,06 до 15 рекомендуется при работе лазера в импульсном и непрерывном режимах.

Аналогами предлагаемого лазерного вещества являются лазерные материалы на основе ИАГ, легированные Nd3+ [1] Угловая направленность генерируемого излучения которых значительно ниже и составляет 10"-11", что в 1,5 раз ниже предлагаемого материала.

Прототипом предлагаемого лазерного вещества является лазерный материал Ba Gd2-xNdx(MoO4)4 [2] угловая направленность генерируемого излучения которого составляет 12"-12,5", что также в 1,5 раз ниже, чем в Li3Ba2Ln3-xNdx(MoO4)8.

C целью повышения угловой направленности генерируемого излучения в лазерное вещество, содержащее оксиды бария, лантана или гадолиния, или иттрия, или лютеция и неодима и триоксид молибдена дополнительно введен оксид лития, образуя при этом вещество состава Li3Ba2Ln3-xNdx(MoO4)8, 0,06 лазерное вещество, патент № 2066352 x лазерное вещество, патент № 2066352 0,15, в пересчете на оксиды состав лазерного вещества соответствует, мас. Li2 6,25 6,62, BaO 8,68 9,17, Ln2O3 6,47 10,95, Nd2О3 0,31 0,73, MоО3 остальное.

Cоотношение заявляемых составов обусловлены областью фазовой однородности тройных молибдатов Li3Ba2Ln3-xNdx(MoO4)8, образующихся в системах Li2O-BaO-Ln2O3-Nd2O3-MoO3, высоким оптическим качеством монокристаллов и их угловой направленностью генерируемого получения 8,3-8,5.

Монокристаллы Li3Ba2Ln3-xNdx(MoO4)8 выращивают в платиновом контейнере в атмосфере воздуха раствор-расплавленным методом на ориентированную затравку.

Реализация изобретения иллюстрируется следующими примерами.

Пример 1. Шихту состава, мас. Li2О 6,25, BaО 9,17, Ln2O3 10,95, Nd2O3 0,31, MoO3 остальное гомогенизировали путем многократного перетирания в агатовой ступке со спиртом, помещали в платиновый контейнер и нагревали до температуры 900-920oC cо скоростью 100-120oC в час. Изотермическая выдержка составляла 70-80 ч при непрерывном перемешивании со скоростью 30 оборотов в минуту. Рост кристалла осуществлялся на ориентированную затравку, скорость вытягивания составляла 4-6 мм/сут. Полученный кристалл Li3Ba2Lu2,94Nd0,06(MoO4)8 имеет высокое оптическое качество, угловая направленность генерируемого излучения составила 8,3 на уровне 0,5. Результаты представлены в таблице.

При скорости роста меньше 4 мм/сут появляются на гранях роста новые центры кристаллизации и возникают блочные структуры (рост в виде друз из крупных кристаллов). Если скорость роста превышала 6 мм/сут, происходил захват растворителя растущим кристаллом, что приводило к растрескиванию кристалла.

Пример 2. Шихту состава, мас. Li2O 6,62, BaО 8,68, La2O3 6,47, Nd2O3 0,73, MоО3 остальное готовили по технологии, описанной в примере 1. Угловая направленность генерируемого излучения кристалла Li3Ba2La2,85Nd0,15(MoO4)8 составила 8,5" на уровне 0,5 (см. табл.).

Пример 3. Шихту состава, мас. Li2 6,44, BaO 8,74, Gd2O3 8,74, Nd2O3 0,52, MoO3 остальное готовили по технологии, описанной в примере 1. Угловая направленность генерируемого излучения кристалла Li3Ba2Gd2,895Nd0,105(MoO4)8 cоставила 8,5" на уровне 0,5 (см. табл.).

Уменьшение содержания оксида лития ниже 6,25 мас. приводит к растрескиванию кристалла и ухудшает его оптическое качество. Увеличение оксидов лантаноидов и бария выше 10,95 и 9,17 мас. cоответственно способствует образованию второй фазы Ln2(MoO4)3 или BaMoO4, что приводит к неоднородности и блочности кристаллов и снижает угловую направленность генерируемого излучения.

Использование предлагаемого лазерного вещества способствует увеличению энергии генерируемого излучения в 1,5-2 раза по сравнению с аналогом и прототипом.

Класс C30B29/32 титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы

способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата -  патент 2519428 (10.06.2014)
способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата -  патент 2487968 (20.07.2013)
способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута -  патент 2485218 (20.06.2013)
оптическая среда для преобразования монохроматического излучения лазера и способ ее получения -  патент 2394321 (10.07.2010)
способ получения монокристаллов молибдата цинка -  патент 2363776 (10.08.2009)
способ получения монокристалла вольфрамата -  патент 2241081 (27.11.2004)
способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца -  патент 2202011 (10.04.2003)
способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца -  патент 2164562 (27.03.2001)
монокристаллы вольфрамата свинца -  патент 2145648 (20.02.2000)
способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца -  патент 2132417 (27.06.1999)

Класс C30B15/02 добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута -  патент 2485218 (20.06.2013)
способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида индия -  патент 2482228 (20.05.2013)
способ получения монокристалла оксида цинка -  патент 2474625 (10.02.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения монокристалла -  патент 2418108 (10.05.2011)
способ выращивания монокристаллов с заданным распределением примесей по его длине -  патент 2402646 (27.10.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
устройство для выращивания слоев кремния на углеродной подложке -  патент 2365684 (27.08.2009)
Наверх