способ измерения температуры

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, включающий ориентацию чувствительного элемента в виде прямоугольной пластины в магнитном поле, пропускание тока через чувствительный элемент вдоль его продольной оси и измерение падения напряжения на измерительных контактах, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения температуры в магнитном поле путем компенсации влияния магнитного поля на величину измеряемого напряжения, предварительно на измерительных контактах при заданной температуре определяют величины удельного сопротивления , постоянной Холла

R_x = U_xd / JB ,

где U_x - напряжение, возникающее на измерительных контактах;

B - магнитная индукция;

d - толщина чувствительного элемента;

J - ток питания через чувствительный элемент,

и магнитосопротивления

M = / B ,

где - изменение удельного сопротивления при появлении магнитного поля,

и при измерении напряжения измерительные контакты сдвигают на расстояние, равное

l = aR_x / M ,

где a - ширина чувствительного элемента.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в преобразователях тепловых величин.

Известен способ измерения температуры с помощью полупроводникового датчика температуры на основе пластически деформированной пленки германия на арсениде галлия, заключающийся в пропускании тока через чувствительный элемент и измерении падения напряжения на токовых контактах [1].

Однако этот способ не обладает требуемой точностью при измерениях в магнитных полях из-за возникновения на измерительных контактах дополнительного изменения напряжения, связанного с эффектом магнитосопротивления.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предложенному способу является способ, в котором используются размерные эффекты в полупроводниках, заключающийся в пропускании в произвольном направлении вдоль чувствительного элемента тока, ориентировании датчика так, чтобы толщина чувствительного элемента была перпендикулярна направлению вектора индукции магнитного поля, и последующем измерении величины напряжения на измерительных контактах [2].

Однако и этот способ не позволяет с высокой точностью проводить измерения в магнитных полях в связи с тем, что магнитосопротивление датчика сильно возрастает с увеличением магнитных полей и при понижении температуры, поэтому резко возрастает погрешность измерений.

Целью изобретения является повышение точности измерения температуры в магнитном поле путем компенсации влияния магнитного поля на величину измеряемого напряжения.

Цель достигается тем, что в способе, включающем ориентацию чувствительного элемента в виде прямоугольной пластины в магнитном поле, пропускание тока через чувствительный элемент вдоль его продольной оси и измерение падения напряжения на измерительных контактах, предварительно на измерительных контактах при заданной температуры определяют величины удельного сопротивления , постоянной Холла

R_x = V_xd/IB, где V_x - напряжение, возникающее на измерительных контактах;

В - магнитная индукция;

d - толщина чувствительного элемента;

I - ток питания через чувствительный элемент, и магнитосопротивления

M = /B, где - изменение удельного сопротивления при появлении магнитного поля, и при измерении напряжения измерительные контакты сдвигают на расстояние, равное

l = aRx/ M, где а - ширина чувствительного элемента.

На фиг. 1 представлено схематическое изображение датчика температуры, изготовленного на основе объемного германия; на фиг.2 - то же, на основе пленок германия на арсениде галлия; на фиг.3 показана взаимная ориентация тока, магнитного поля, направления движения носителей заряда, расположения контактов при осуществлении способа измерения температуры в магнитном поле для случая положительного магнитосопротивления для полупроводника n-типа проводимости; на фиг.4 - то же, для полупроводника р-типа проводимости.

Для изготовления чувствительного элемента датчика температуры использованы пленки германия с удельным сопротивлением при 300 К, равным 610^-4 Омм. Ширина пленки а = 110^-3 м, толщина d = 510^-6 м.

Для компенсации влияния магнитного поля на величину измеряемого напряжения (пропорционального температуре) в области температур жидкого гелия датчик с чувствительным элементом 1 в виде прямоугольной пластины ориентируется в магнитном поле В при Т = 4,2 К так, чтобы силовые линии поля были перпендикулярны граням, определяющим толщину пластины, и вдоль ее продольной оси пропускается ток. На измерительных контактах 3, расположенных на гранях, определяющих ширину пластины, измеряется возникающее в магнитном поле Холловское напряжение V_х и рассчитывается постоянная Холла R_x = V_xd/IB, которая составила величину R_x = 0,3710^-4 м³/Кл. Величина магнитосопротивления М = /В измерялась на токовых контактах 2 и составила величину М = 0,510^-2 Т^-1, измеренное удельное сопротивление при Т = 4,2 К равно 1,110^-2 Омм. Затем измерительные контакты сдвигают и устанавливают на расстоянии между ними вдоль граней

l = = = 0,7310^-3м

Для измерения температуры проводится градуировка датчика, т.е. измеряется зависимость напряжения на измерительных контактах 3 от температуры при отсутствии магнитного поля и строится график или составляется таблица. Из табличных данных для изготовленного датчика напряжение на измерительных контактах при Т = 4,2 К равно 150,3 мВ. После ориентации датчика в магнитном поле B = 8 Т и погружении его в жидкий гелий (Т = 4,2 К) напряжение на измерительных контактах оказалось равным 150,4 мВ. Исходя из чувствительности датчика к температуре, которая определена из градуировочных данных и равна 8%/К, посчитана погрешность в определении температуры Т = 0,006 К.