ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью - заявка на патент 2013111293


Классы МПК: H01L33/50   (2010.01)
Автор: ЛИ Чунг Хоон (KR),
ТЕВС Вальтер (DE),
РОТ Гундула (DE),
СТАРИК Детлеф (DE)
Заявитель: СЕУЛ СЕМИКОНДАКТОР КО., ЛТД. (KR)

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:

первый светоизлучающий диод; и

поверхностно-модифицированный люминофор, выполненный с возможностью поглощать свет, излучаемый из первого светоизлучающего диода, и с возможностью излучать свет, имеющий отличную от поглощенного света длину волны, причем поверхностно-модифицированный люминофор содержит:

силикатный люминофор; и

фторированное покрытие, расположенное на силикатном люминофоре.

2. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом фторированное покрытие выполнено с возможностью создавать гидрофобные поверхностные центры, причем фторированное покрытие содержит фторированный неорганический агент, фторированный органический агент, или же как фторированный неорганический агент, так и фторированный органический агент.

3. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор дополнительно содержит влагозащитный слой, содержащий оксид, расположенный на фторированном покрытии или расположенный между фторированным покрытием и силикатным люминофором.

4. Светоизлучающее устройство по п. 3, при этом оксид содержит по меньшей мере один из MgO, Al2O3, Y 2O3, La2O3, Gd2 O3, Lu2O3 и SiO2.

5. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом силикатный люминофор содержит люминофор на основе силиката щелочноземельного металла, и при этом фторированное покрытие содержит фторированный барьерный слой, образованный фторированием люминофора на основе силиката щелочноземельного металла с использованием фтор-функционализованного органосилана, имеющего общую формулу Si(OR)3Х, где R = СН3, С2Н5 или высшие алканы, а Х содержит фтор-функционализованный органический лиганд.

6. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор имеет общую формулу (Me1+Me2+ Me3+)x (Si, P, Al, B, V, N, C, Ge)y (O, N)z:(A, F, S), где А представляет собой активатор, выбранный из группы лантаноидов и/или марганца, F представляет собой фиксированный на поверхности или пришитый фтор или соединение фтора, и S представляет собой дополнительное покрытие с нефторированными слоеобразующими материалами, Ме 1+ представляет собой одновалентный металл, Ме2+ представляет собой двухвалентный металл, а Ме3+ представляет собой трехвалентный металл, выбранный из группы III или лантаноидов, некоторая часть Si может быть замещена на Р, Al, B, V, N, Ge или С, и 0<x<5, 0<y<12 и 0<z<24.

7. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор имеет формулу Sr3-x-y-zCaxBa ySiO5:Euz, F, S, где F представляет собой фиксированный на поверхности или пришитый фтор или содержащее фтор соединение, а S представляет собой дополнительное покрытие, содержащее нефторированные материалы, и 0 x 2, 0 y 2 и 0<z<0,5.

8. Светоизлучающее устройство по п. 7, при этом 0 x 0,05, 0 y 0,5 и 0<z<0,25.

9. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом силикатный люминофор содержит люминофор на основе силиката щелочноземельного металла, причем люминофор на основе силиката щелочноземельного металла содержит:

первый элемент замещения, замещающий часть ионов щелочноземельного металла в силикатном люминофоре, причем первый элемент замещения содержит двухвалентный ион, выбранный из Mg и Zn, одновалентный ион, выбранный из группы щелочных металлов, или трехвалентный ион, выбранный из группы редкоземельных металлов; и

второй элемент замещения, замещающий часть кремния, причем второй элемент замещения содержит по меньшей мере один, выбранный из группы Р, B, V, N, Ge и С.

10. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом первый светоизлучающий диод и люминофор объединены в корпусе.

11. Светоизлучающее устройство по п. 10, дополнительно содержащее: второй светоизлучающий диод в упомянутом корпусе, при этом второй светоизлучающий диод выполнен с возможностью излучать свет с большей длиной волны пика эмиссии, чем у люминофора.

12. Светоизлучающее устройство по п. 10, при этом корпус дополнительно содержит подложку, на которой установлен первый светоизлучающий диод.

13. Светоизлучающее устройство по п. 12, при этом подложка содержит печатную плату или рамку с выводами.

14. Светоизлучающее устройство по п. 13, дополнительно содержащее формовочный элемент, инкапсулирующий первый светоизлучающий диод,

при этом поверхностно-модифицированный люминофор расположен внутри этого формовочного элемента.

15. Светоизлучающее устройство по п. 10, при этом корпус содержит теплоотвод, на котором установлен первый светоизлучающий диод.

16. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом первый светоизлучающий диод содержит множество светоизлучающих ячеек.

Наверх