ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора - заявка на патент 2013110953


Классы МПК: H01L21/76   (2006.01)
Автор: Мустафаев Гасан Абакарович (RU),
Мустафаев Абдулла Гасанович (RU),
Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Заявитель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (RU)

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора, включающий кремниевую подложку, процессы имплантации и маскирования, отличающийся тем, что изолирующую область формируют путем создания сильнолегированной p+-области внутри p-кармана имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·1018 см-3 с последующим отжигом при температуре 400-500°C в течение 30 мин.

Наверх