ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

компоновка шунтирующего слоя для сид - заявка на патент 2013110304


Классы МПК: H01L33/38   (2010.01)
Автор: ЛОПЕС Тони (NL),
АЛЬДАС Рафаэль Игнасио (NL)
Заявитель: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Светоизлучающее диодное (СИД) устройство, содержащее:

- кристалл (40) СИД, содержащий светоизлучающий полупроводниковый слой (20), эпитаксиально выращенный на подложке роста и продолжающийся, по существу, по всему кристаллу СИД, причем кристалл СИД имеет верхнюю поверхность, содержащую слой (28) растекания тока, покрывающий полупроводниковый слой; и

- металлический электродный рисунок (42, 44, 46) на только участке верхней поверхности для пропускания тока через СИД для питания СИД, причем упомянутый электродный рисунок содержит:

- множество металлических контактов (42) на верхней поверхности, имеющих ширины между около в 2 и 10 раз больше, чем длина Lt передачи контактов, где длина передачи определяется как

где Rs является поверхностным сопротивлением в Омах на квадрат слоя растекания тока, а c является контактным удельным сопротивлением границы раздела контакта и слоя растекания тока, выраженным в Ом/м2,

причем металлические контакты, по существу, блокируют свет, излученный светоизлучающим полупроводниковым слоем; и

- металлические соединения (44), соединяющие одни из контактов друг с другом, причем металлические соединения имеют ширины меньше, чем 2Lt.

2. Устройство по п.1, в котором множество металлических контактов на верхней поверхности имеют ширины между около в 2 и 5 раз больше, чем длина Lt передачи контактов.

3. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 2% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.

4. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 5% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.

5. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 10% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.

6. Устройство по п.1, в котором контакты являются по существу круглыми, а ширины являются диаметрами контактов.

7. Устройство по п.1, в котором контакты являются многоугольниками.

8. Устройство по п.1, дополнительно содержащее электрод для проволочного соединения, подсоединенный к контактам посредством по меньшей мере одного из металлических соединений.

9. Устройство по п.8, в котором металлические соединения образуют сетку параллельных и перпендикулярных соединений.

10. Устройство по п.8, в котором металлические соединения радиально продолжаются от электрода для проволочного соединения.

11. Устройство по п.8, в котором по меньшей мере некоторые из контактов увеличиваются в размерах по мере их удаления от электрода для проволочного соединения.

12. Устройство по п.8, в котором плотность контактов увеличивается по мере их удаления от электрода для проволочного соединения.

13. Устройство по п.8, дополнительно содержащее диэлектрический слой между электродом для проволочного соединения и слоем растекания тока для уменьшения плотности тока между электродом для проволочного соединения и слоем растекания тока.

14. Устройство по п.13, в котором электрод для проволочного соединения продолжается за край диэлектрического слоя на расстояние Wx вокруг диэлектрического слоя, причем 0,5Lt<Wx<Lt.

15. Устройство по п.8, дополнительно содержащее концентрическое шунтирующее кольцо, окружающее электрод для проволочного соединения на некотором расстоянии, чтобы уменьшить сжатие тока под и вокруг периферии электрода для проволочного соединения, при этом отсутствуют металлические контакты между шунтирующим кольцом и электродом для проволочного соединения.

16. Устройство по п.15, в котором ширина шунтирующего кольца находится между 0,lL t и Lt, и в котором диаметр шунтирующего кольца на по меньшей мере 20% больше, чем диаметр электрода для проволочного соединения.

17. Устройство по п.1, дополнительно содержащее металлический шунт по периметру верхней поверхности кристалла СИД, причем упомянутый шунт имеет первую ширину вдоль краев кристалла и более узкую ширину в углах кристалла для уменьшения плотности тока в углах кристалла.

18. Устройство по п.17, в котором первая ширина шунта вдоль краев кристалла больше, чем Lt, а более узкая ширина шунта в углах кристалла составляет менее 0,1Lt для снижения плотности тока на углах кристалла.

19. Устройство по п.1, в котором подложка роста удалена.

Наверх