Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..с множеством светоизлучающих областей, например, с боковым прерывистым светоизлучающим слоем или фотолюминесцентной областью, встроенной в полупроводниковое тело – H01L 33/08

МПКРаздел HH01H01LH01L 33/00H01L 33/08
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01L 33/08 ..с множеством светоизлучающих областей, например, с боковым прерывистым светоизлучающим слоем или фотолюминесцентной областью, встроенной в полупроводниковое тело

Патенты в данной категории

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ВЫРАЩЕННЫЕ НА КОМПОЗИТНЫХ ПОДЛОЖКАХ

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; подложка включает в себя основание, множество участков III-нитридного материала, разделенных углублениями, причем углубления простираются через всю толщину III-нитридного материала, который формирует упомянутые структуры, связывающий слой, расположенный между основанием и множеством участков III-нитридного материала; при этом светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее чем 3,19 ангстрем; и формирование проводящего материала, который электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур. Также предложено полупроводниковое светоизлучающее устройство. Изобретение обеспечивает улучшение производительности и надежности, за счет исключения деформации и дефектов кристалла в слоях III-нитридного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

2515205
патент выдан:
опубликован: 10.05.2014
ОРГАНИЧЕСКИЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ ДЕНДРОНИЗОВАННЫХ ПОЛИАРИЛСИЛАНОВ

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света. Предложен органический светоизлучающий диод, содержащий несущую основу, выполненную в виде прозрачной подложки с размещенными на ней прозрачным слоем анода и металлическим слоем катода, между которыми расположен светоизлучающий слой, выполненный на основе дендронизованного полиарилсилана общей формулы (I) или (II), где n - целое число от 5 до 1000. Технический результат - расширение ассортимента ОСИД с высокими рабочими характеристиками, в частности, с диапазоном излучения от 400 до 700 нм, что позволяет использовать их в качестве источников света. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 6 пр.

2501123
патент выдан:
опубликован: 10.12.2013
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

В полупроводниковом источнике излучения, содержащем корпус, оптически прозрачную крышку, расположенную параллельно днищу корпуса, прямоугольную диэлектрическую пластину, на которой с верхней стороны размещена прямоугольная матрица полупроводниковых излучающих диодов, а сама пластина размещена на днище корпуса, и жидкость, заполняющая внутреннюю свободную полость корпуса, в каждом ряду матрицы размещено одинаковое количество последовательно согласно соединенных диодов, количество которых рассчитано на питание от источника, имеющего стандартное значение напряжения. Полупроводниковый источник излучения согласно изобретению не требует разработки источников питания с нестандартными значениями напряжений Система: предлагаемый полупроводниковый источник излучения - стандартный источник питания - обладает бóльшим коэффициентом полезного действия, чем система: устройство-прототип - нестандартный источник питания. Полупроводниковый источник излучения согласно изобретению может работать на постоянном и импульсном токе, на переменном токе различной частоты и различных видах модуляции. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

2444812
патент выдан:
опубликован: 10.03.2012
ИСТОЧНИК СВЕТА, СОДЕРЖАЩИЙ ИЗЛУЧАЮЩИЕ НА ГРАНЯХ ЭЛЕМЕНТЫ

Настоящее изобретение представляет источник света, содержащий один или более излучающих на гранях элементов, каждый имеющий по существу одинаковый или сходный спектр излучения или соответствующие спектры излучения/цвета, и некоторое количество теплоотводов, термически соединенных с ними. Также предусмотрены средства возбуждения для возбуждения излучающих на гранях элементов. Выходные оптические средства, такие как отражатели, линзы, рассеиватели, коллиматоры, фильтры и подобные могут быть также включены для собирания, смешения и/или перенаправления света, излученного излучающими на гранях элементами для создания требуемого оптического эффекта. Источник света может также содержать необязательную управляющую систему с обратной связью, приспособленную для контроля выхода источника света и корректировки средств возбуждения и/или выходных оптических средств для поддержания требуемого или оптимального выхода. Изобретение обеспечивает повышение эффективности источника света. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 18 ил.

2437188
патент выдан:
опубликован: 20.12.2011
Наверх