Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы – H01L 31/08

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к средствам измерения перемещений, и может быть использовано для измерения угловых перемещений бесконтактным методом. Фотоэлектрический преобразователь перемещения в код содержит источник света, подключенный к источнику импульсного напряжения, кодирующий фотоприемник, выполненный в виде сформированного в пластине полупроводника одного р-n-перехода, покрытого сверху через слой изолятора беззазорной кодирующей маской с нанесенными на края р-области и на нижнюю часть n-области тремя омическими электродами, один из которых подключен к сопротивлению нагрузки, второй - к источнику импульсного напряжения, управляемому от генератора синхронизации, а третий - к источнику напряжения смещения. К сопротивлению нагрузки подключен компаратор напряжения, второй вход которого подключен к источнику импульсного напряжения. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления фотоприемника, его конструкции и уменьшение габаритов, а также упрощение конструкции блока электроники. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления детекторов теплового электромагнитного излучения - болометров. Поглощающая мембрана (1) детектора закреплена в подвешенном состоянии с помощью по меньшей мере одной теплоизолирующей опорной детали (5ab) на лицевой стороне подложки (2), содержащей по меньшей мере два электрических вывода (3), электрически соединенных с мембраной (1), например, посредством проводящих слоев (9). Опорная деталь (5ab) имеет по меньшей мере один конец-основание (6) и возвышающуюся зону (7). Конец-основание (6) прикреплен к верхней части проводящего столбика (8), имеющего основание, неподвижно прикрепленное к одному из электрических выводов (3). По существу плоская зона нижней стороны мембраны (1) находится в непосредственном контакте с возвышающейся зоной (7) опорной детали (5ab). Опорная деталь (5ab) предпочтительно образована мостиком, имеющим второй конец-основание (6), прикрепленный к верхней части второго столбика (8), при этом возвышающаяся зона (7) образована плоской средней частью мостика. Технический результат - высокое отношение чувствительной к излучению поверхности болометра к его общей поверхности. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность изобретения: в чувствительном элементе детектора инфракрасного излучения, выполненном в виде тонкой пленки твердого раствора, в качестве материала твердого раствора использован Cd_1-x Sn_xS при х=0,1÷0,66, а пленка использована толщиной в интервале от 0,3 до 0,7 мкм. Изобретение позволяет расширить диапазон принимаемого излучения и упростить технологию производства чувствительного элемента. 1 табл.

Изобретение относится к области оптико-электронных приборов и может быть использовано как приемник инфракрасного излучения в тепловизионных приборах, теплопеленгаторах, приборах ориентации и экологического мониторинга. Технический результат изобретения: улучшение пороговой чувствительности, расширение динамического диапазона и области рабочих температур. Сущность: приемник содержит многослойные чувствительные элементы плоскостной структуры, термочувствительный слой в нем выполнен из материала, представляющего собой смесь окислов ванадия VOx при 2<х<2,5 и не претерпевающего фазового перехода. 3 ил.

Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом. Сущность: в полупроводниковом детекторе для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе, включающем полупроводниковый регистрирующий элемент, размещенный в диэлектрическом корпусе, закрытый как со стороны потока заряженных частиц, так и с противоположной стороны слоями металла, электрически соединенными с токоотводами, токоотвод со стороны потока заряженных частиц выполнен в виде жесткой прижимной металлической пластины с отверстием напротив чувствительной зоны полупроводникового регистрирующего элемента, прикрепленной к диэлектрическому корпусу, а токоотвод с противоположной стороны выполнен в виде жесткой металлической пластины, поджатой пружинным элементом к полупроводниковому регистрирующему элементу, при этом диэлектрический корпус выполнен из вакуум-плотного материала, с газовой десорбционной способностью, не более 5· 10 ^-8 мбар· см^-2· с^-1 ; корпус может быть выполнен из керамики. Технический результат изобретения: обеспечение возможности регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом при скорости регистрации до 10⁷ частиц в секунду. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.