Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного – H01L 21/268

Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера. Способ согласно изобретению включает обработку поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при этом предварительно монокристаллический кремний ориентации (111) помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 минут, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см². Изобретение обеспечивает формирование периодических пирамидальных структур на поверхности монокристаллического кремния, имеющих монокристаллическую структуру и три кристаллографические грани ориентации (111). 1 табл., 5 ил.

Изобретение относится к различным областям техники, использующим материалы с развитыми поверхностями в виде многослойных наноструктур для производства солнечных батарей, фотоприемных устройств, катализаторов, высокоэффективных люминесцентных источников света. В способе создания многослойной наноструктуры на одну из поверхностей прозрачного для лазерного излучения материала наносят дифракционную решетку и воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и одновременно создают множество срощенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала. Изобретение позволяет создавать многослойные наноструктуры из многих сотен слоев за время длительности одного импульса лазерного излучения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность изобретения: в способе формирования легированных областей полупроводникового прибора для создания легированных рабочих областей полупроводникового прибора на сформированную подложку наносят пленку с легирующей смесью и подвергают обработке лазерным лучом длительностью импульсов 35 нс, длиной волны излучения 308 нм и с плотностью энергий в импульсе 200-500

мДж/см². 1 табл.

Изобретение относится к базовой плате и способу ее производства. Сущность изобретения: базовая плата содержит множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную не ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, имеющей первый профиль кристаллов, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, причем подложки панели содержат первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов, при этом тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Изобретение позволяет создать базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную область бесполезно расходуемой подложки. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения. Способ лазерного отделения основан на использовании селективного легирования подложки и эпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями. При селективном легировании концентрации свободных носителей в эпитаксиальной пленке и подложке могут существенно отличаться, и это может приводить к сильному отличию коэффициентов поглощения света в инфракрасной области вблизи области остаточных лучей, где существенны вклады в инфракрасное поглощение оптических фононов, свободных носителей и фонон-плазмонного взаимодействия оптических фононов со свободными носителями. Соответствующим подбором уровней легирования и частоты инфракрасного лазерного излучения можно добиться того, чтобы лазерное излучение поглощалось в основном в области сильного легирования вблизи границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка. При сканировании границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка сфокусированным лазерным лучем достаточной мощности происходит термическое разложение полупроводникового кристалла с последующим отделением гомоэпитаксиальной пленки. Изобретение обеспечивает возможность отделять эпитаксиальные пленки от подложек, выполненных из того же самого кристаллического материала, что и эпитаксиальная пленка. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ. Сущность изобретения: способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов заключается в переносе вещества пленки, нанесенной на поверхность прозрачной пластины-донора, на акцепторную подложку путем импульсного лазерного облучения пленки сквозь пластину, при этом между упомянутой пленкой и пластиной наносят жертвенный подслой, который при упомянутом облучении испаряется. Изобретение обеспечивает повышение разрешающей способности формирования рисунка, получение возможности изготовления микроструктур с минимальными размерами, много меньшими длины волны излучения, инициирующего технологический процесс. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя поликристаллического кремния расположенный на подложке стекла или кремния со слоем диоксида кремния слой аморфного кремния подвергают кристаллизации посредством лазерной обработки. Используют импульсное излучение фемтосекундного диапазона длительностью от 30 до 120 фемтосекунд с длиной волны и плотностью энергии, вызывающими в аморфном кремнии фазовый переход с формированием слоя поликристаллического кремния. Фазовый переход кристаллизации стимулирован электрон-дырочной плазмой, характеризуется отсутствием передачи энергии подложке. При обработке используют излучение с длиной волны ближнего ультрафиолетового или ближнего инфракрасного диапазона, что соответствует второй или первой гармонике титан-сапфирового лазера. Значение средней длины волны излучения, выбираемой от 390 до 810 нм, обеспечивает поглощение по всей толщине слоя аморфного кремния. Плотность энергии от 20 до 150 мДж/см² обуславливает при заданной толщине слоя аморфного кремния от 20 до 130 нм формирование сплошного поликристаллического слоя на участке воздействия излучения. В результате достигается расширение ассортимента приборных структур со слоем поликристаллического кремния и расширение диапазона толщин исходных пленок аморфного кремния. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов. Сущность изобретения: в способе восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур наведенный положительный заряд, образованный в результате процесса ионно-лучевого травления при формировании металлических слоев структуры, нейтрализуется фотоэмиссией электронов при дополнительном облучении пластин источником ближнего ультрафиолета с энергией квантов 4,0÷6,0 эВ в течение 15÷20 мин. Техническим результатом изобретения является нейтрализация наведенного заряда в процессе плазменных обработок при формировании металлизации МДП-транзисторных структур, восстановление пороговых напряжений, стабилизация зарядовых свойств и увеличение процента выхода годных и надежности изделий. 1 табл.

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности. Сущность изобретения: в способе формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений путем обработки полупроводниковых материалов последнюю осуществляют путем воздействия на поверхность полупроводникового материала потоком импульсного лазерного излучения с интенсивностью, большей порога плавления используемого материала, обеспечивающей при этом плавление материала на глубину не менее 5 нм, обработанный полупроводниковый материал подвергают повторному воздействию электромагнитного излучения с интенсивностью, меньшей порога плавления используемого материала, в присутствии паров протонодонорного реагента. Изобретение обеспечивает увеличение точности анализа и снижение пределов обнаружения определяемых соединений, а также возможность многократного использования сформированного эмиттера ионов. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Способ включает химическую очистку и халькогенизацию поверхности пластины GaAs в водном, спиртовом или другом халькогенсодержащем растворе или газе сульфида аммония (NH₄)₂ S с последующей ее промывкой и сушкой, вакуумную сушку поверхности пластины GaAs, после вакуумной сушки халькогенизированнную поверхность пластины GaAs обрабатывают ультрафиолетовым излучением с длиной волны =172-400 нм и плотностью мощности излучения W>0.01 Вт/см ^-2 в течение t=1-600 секунд в вакууме при давлении остаточной атмосферы менее 10^-5 Торр. Обработку ультрафиолетовым излучением проводят при давлении остаточной атмосферы менее 5×10 ^-6 Торр, а после обработки ультрафиолетовым излучением на поверхность пластины GaAs осаждают тонкие металлические пленки или диэлектрическую пленку. Изобретение обеспечивает активацию десорбции физосорбированной серы, снижение плотности поверхностных состояний GaAs, улучшение электрических параметров контактов металл-полупроводник и границы раздела диэлектрик-полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности GaAs. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров. Его использование позволяет получить технический результат в виде создания более совершенной системы контроля лазеров для литографии на предприятиях по производству интегральных микросхем. Технический результат достигается за счет того, что каждый лазер на каждом производственном предприятии связан с соответствующим сервером терминала, при этом на каждом производственном предприятии серверное устройство центрального управления осуществляет обмен информацией с каждым из лазеров через локальную сеть. Сбор информации из лазеров осуществляют посредством серверного устройства центрального управления и используют эту информацию для создания сводной информации, которая является доступной для заинтересованных сторон, которым предоставлено право на доступ в формате Web-узла. 13 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.

Использование: для изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков. Объемные потоки могут быть газообразными, жидкими, твердыми или состоять из смеси этих агрегатных состояний. Энергетические потоки могут иметь акустический, электрический или электромагнитный характер. Сущность изобретения: в способе изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для получения слоев применяются различные светоотверждаемые материалы. При замене материалов новым материалом заполняют также участки слоев, в которых в предшествующем процессе отверждения отверждение не состоялось, так что при последующем отверждении с нижерасположенным слоем соединяется не только самый верхний слой, но и материал самого верхнего слоя соединяется с материалом слоя, расположенного под предпоследним слоем. Тем самым внутри последовательных слоев можно соединять друг с другом слой за слоем структуру с другими свойствами. Техническим результатом изобретения является изготовление комплексной микросхемы на базе слоистой конструкции, имеющей полости, в которые могут устанавливаться, например, электрические детали, и при этом существует возможность соединения их между собой посредством проводников. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.