Цифровые запоминающие устройства, в которых информация, состоящая из нескольких частей, записывается и считывается путем выбора одной или нескольких таких частей, т.е. устройства ассоциативной памяти: .с использованием полупроводниковых элементов – G11C 15/04

МПКРаздел GG11G11CG11C 15/00G11C 15/04
Раздел G ФИЗИКА
G11 Накопление информации
G11C Запоминающие устройства статического типа
G11C 15/00 Цифровые запоминающие устройства, в которых информация, состоящая из нескольких частей, записывается и считывается путем выбора одной или нескольких таких частей, т.е. устройства ассоциативной памяти
G11C 15/04 .с использованием полупроводниковых элементов

Патенты в данной категории

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ АССОЦИАТИВНАЯ ПАМЯТЬ

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в осуществлении с высокой скоростью контроля по четности вводимых и хранящихся данных. Параллельная ассоциативная память для одновременного поиска по всем адресам и определения того, хранятся ли в памяти те же данные, что и введенные данные, содержащая средство генерации четности для генерации бита четности n-разрядных данных, вводимых во время записи и во время поиска, и множество мест памяти, которое соответствует множеству адресов, причем каждое из указанных мест памяти содержит: n запоминающих ячеек ассоциативной памяти для хранения n-разрядных данных; ячейку хранения четности для хранения бита четности; средство контроля по четности для определения того, совпадают ли бит четности, сгенерированный указанным средством генерации четности во время поиска, и бит четности, хранящийся в ячейке хранения четности, и для активации сигнала совпадения по четности в случае их совпадения; схему обнаружения совпадения слов, предназначенную для активации сигнала совпадения слов данных в случае совпадения n-разрядных данных; и средство подтверждения совпадения по четности; причем параллельная ассоциативная память дополнительно содержит средство обнаружения ошибки четности. 1 з.п. ф-лы, 13 ил.

2498425
патент выдан:
опубликован: 10.11.2013
АССОЦИАТИВНАЯ ПАМЯТЬ

Изобретение относится к архитектуре памяти и, более конкретно, к способам и системам для ассоциативной памяти (САМ). Техническим результатом является уменьшение паразитной емкости за счет уменьшения физической площади массива и/или емкости памяти. Ассоциативная память содержит: первую ячейку САМ, имеющую первую схему хранения и первую схему сравнения; и вторую ячейку САМ, имеющую вторую схему хранения и вторую схему сравнения, причем первая ячейка САМ и вторая ячейка САМ расположены, по существу, в прямоугольной области, причем первая и вторая схемы хранения расположены в стек вертикально и являются смежными друг с другом и причем первая и вторая схемы сравнения разделены первой и второй схемами хранения и каждая расположены на соответственных внешних краях, по существу, прямоугольной области. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 13 ил.

2452047
патент выдан:
опубликован: 27.05.2012
КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. Ячейка памяти согласно изобретению содержит первый транзисторный инвертор, имеющий первый вход и первый выход, и второй инвертор, имеющий второй вход и второй выход. Первый и второй транзисторы связаны с первым и вторым пересекающимися соединениями. Первое пересекающееся соединение соединяет первый вход со вторым выходом. Второе пересекающееся соединение соединяет второй вход с первым выходом. Два пересекающихся соединения содержат разные проводящие слои в процессе изготовления полупроводника. Данное изобретение выполняет пересечения в разных материалах на разных слоях устройства. Поэтому пересечения могут размещаться вертикально друг над другом, тем самым сокращая площадь ячейки памяти. Технический результат: снижение себестоимости за счет уменьшения размера элемента, повышение надежности ячейки памяти в запоминающих устройствах. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил.
2156013
патент выдан:
опубликован: 10.09.2000
Наверх