Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния: ..рекристаллизация с температурным градиентом – C30B 1/06
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 1/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния
C30B 1/06 ..рекристаллизация с температурным градиентом
Патенты в данной категории
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МЕТАЛЛОВ И ИХ СПЛАВОВ
Изобретение относится к получению изделий из монокристаллических металлов и их сплавов и может быть использовано в энергетике, радиотехнике, радиоэлектронике. Способ получения изделий из тугоплавких монокристаллических металлов и их сплавов предусматривает размещение поликристаллического изделия в нейтральной атмосфере между электрическими токоподводами, его нагрев пропусканием импульсного однополярного тока до завершения процесса рекристаллизации по длине изделия, при этом один из токоподводов соединяют с торцом изделия через подпружиненный электрод-разрядник, обеспечивающий температурный градиент в зоне контакта не менее 100°С/см при плотности тока 103 - 5  104 А/см2, а процесс проводят при температуре 0,3-0,7 температуры плавления материала изделия. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления изделий и снижение их себестоимости.
|
2166013 патент выдан: опубликован: 27.04.2001 |
|