Формованные керамические изделия, характеризуемые их составом, керамические составы, обработка порошков неорганических соединений перед производством керамических изделий: ....на основе титанатов висмута – C04B 35/475

Изобретение относится к способам получения порошков фаз слоистых титанатов ряда s- и p-элементов (ВСПС), которые являются основой пьезоматериалов, широко применяющихся в современной аэрокосмической промышленности. Предлагаемый способ получения фаз слоистых титанатов типа Bi₂A_n-1B _nO_3n+3 (A=Na, Ca, Cr, Bi) и (B=Ti) состоит из трех этапов: а) синтез в процессе кислотного гидролиза титанатов натрия исходных нанокластеров полимерных гидроксидов титана (IV) при температурах <370K, пептизацию продукта гидролиза в 60% растворе азотной кислоты, а также осаждение нанокластеров из 0,1-0,3 М (по TiO₂) коллоидных растворов при рН 8±0,5 с помощью 5-10% раствора аммиака при температуре ниже 280K; б) взаимодействие нанокластеров при температурах ниже 280K с насыщенным раствором Bi(NO₃)₃ при перемешивании; в) взаимодействие первичного промежуточного продукта с суспензией гидроксида висмута (III) при стандартных условиях и термическое разложение промежуточной фазы при температуре 600-700K, время изотермической обработки составляет от 20 до 30 минут. Для легирования ионами Cr³⁺ в коллоидальный раствор гидроксидов Ti(IV) на этапе а) вводят рассчитанное количество ацетата хрома; для легирования висмут-титаната ионами Na¹⁺ Ca²⁺ в состав суспензии нитрата висмута вводятся гидроксиды натрия и кальция. Технический результат изобретения - снижение температуры синтеза фаз титанатов и повышение пьезопараметров материалов на их основе. 7 пр., 2 табл.

Изобретение относится к композициям на основе титаната висмута, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для усовершенствования перепрограммируемых запоминающих устройств, а также в акусто- и оптоэлектронике для модернизации радиотехнических конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей и фильтров, гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения. Техническим результатом является повышение диэлектрической проницаемости материалов путем повышения однородности состава сегнетоэлектрических материалов. Композиция для получения сегнетоэлектрического материала включает следующие компоненты, мол.%: Вi₂O₃ 17,4-22,8; LaCl₃ 8,71-11,4; TiO₂ 32,7-42,7; KNO₃ 32,1-41,2. Для образцов, полученных из данного состава, значение диэлектрической проницаемости составило 220-240 в диапазоне частот 1-1000 кГц при комнатной температуре. 1 табл, 1 ил.